Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | Laser Diode |
Package: | Through Hole |
Signal Processing: | Simulation |
Application: | Solid State Laser Pumping,Medical Use |
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Le point | Symbole | Les cotes | Unité |
Puissance de sortie optique | Po | 350 | MW |
LD tension inverse | VR(LD) | 2 | V |
La température de fonctionnement | Topr | -10 ~ +40 | °C |
La température de stockage | Tstg | -40 ~ +85 | °C |
Le paramètre | Symbole | Condition de test | Min | Typ | Max | Unité |
Puissance de sortie optique | Po | CW | - | 200 | - | MW |
Longueur d'onde de crête | Λp | Po=200mW | 803 | 808 | 815 | Nm |
Courant de seuil | Ith | CW | - | 55 | 60 | MA |
Courant de fonctionnement | L'IOP | Po=200mW | - | 260 | 280 | MA |
Tension de fonctionnement | Vop | Po=200mW | - | 1.8 | 2.1 | V |
Rendement de pente | CW | Η | 0,5 | 0,8 | - | MW/mA |
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