• Les plus populaires rouge à l′56 658nm diode à laser de 150 MW
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Les plus populaires rouge à l′56 658nm diode à laser de 150 MW

certificat: RoHS, CE, ISO
Application: lecteurs de disques optiques portables haute densité
Structure: trou traversant
longueur d′onde de crête: 654 nm à 664 nm
puissance de sortie de la lumière: 150 mw cw
type can: to18-5,6 mm

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Membre Diamant Depuis 2015

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fabricant/Usine & Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
JLD658NM150MW
couleur claire
rouge
durée de vie
10000 heures
caractéristiques de puissance
puissance élevée
tension inverse
2 v.
courant de fonctionnement
205ma
tension de fonctionnement
2,35 v.
température du boîtier
-10 ~ +75 degrés
Paquet de Transport
Anti-Static Package
Spécifications
660nm 150mw red laser diode
Marque Déposée
Mitsubishi
Origine
Japon
Code SH
85414010
Capacité de Production
10000PCS Per Day

Description de Produit

Fonctionnalités :
Puissance de sortie élevée : 150 MW (CW)
Haute efficacité : 0.97W/A (typ.)
La lumière visible : 660nm (typ.)
Les plus populaires rouge à l'56 658nm diode à laser de 150 MW
Most Popular Red To56 658nm 150MW Laser Diode

  
Cotes maximale absolue    (Tc=25ºC)
Le paramètre Symbole Les cotes Unité
Sortie de lumière CW 150 MW
Pulse   400 MW
Tension de marche arrière (LD) VR   2 V
La température de fonctionnement Haut de page -10~+75 ºC
La température de stockage Tstg    -40~+100 ºC


Caractéristiques électriques/optiques ( Tc=25ºC)
Le point Symbole Min Typ Max Unité Condition de test
Courant de seuil Ith - 85 - MA CW
Courant de fonctionnement L'IOP - 205   MA CW, PO=120mW
Tension de fonctionnement Vop - 2.35 3.0 V CW, PO=120mW
Rendement de pente H - 0,97 - W/A CW, PO=120mW
Angle de divergence de faisceau(parallèle ) Θ 7 10.5 12 º CW, PO=120mW
Angle de divergence de faisceau(perpendiculaire) Θ⊥ 14 16 20 º CW, PO=120mW
Longueur d'onde de crête Λp 654 660 664 Nm CW, PO=120mW

Most Popular Red To56 658nm 150MW Laser Diode

Description :  

1. ML101U29 est un haut-d'alimentation, à haute efficacité AlGaInP laser semiconducteur qui fournit un cadre stable, seul le mode transverse avec émission d'onde de l'oscillation de 658nm et à la lumière d'impulsion de sortie standard de 400mW.
 
2. ML101U29 a un réel-index-guide d'onde qui améliore la pente de l'efficacité (réduction de l'intensité de fonctionnement) et l'astigmatic distance.
 
3.Aussi,ML101U29 a une fenêtre-mirror-facet qui améliore la puissance de sortie maximale. Qui mène à hautement fiable et à haute puissance de fonctionnement à 75 °C.

4.   détails de l'emballage : boîte en plastique paquet, il dépend de différents types de diodes laser avec différentes tailles.Normalement 100pcs dans un bac, 10 plateaux dans un sac ,puis 10 sacs dans une boîte en carton .


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FAQ :
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2. elle sera expédiée par DHL/FedEx/UPS/TNT ou d'autres façon spéciale, veuillez communiquer avec nous pour choisir le meilleur.
3. La plupart des colis arrivera dans les 3- 5 jours ouvrables après qu'il est envoyé.  
   
Garantie :
Tous les produits ont été testés avant l'expédition et il a été emballé en bon état. Veuillez testé les produits dans un premier temps avant que vous l'assembler, si un problème ici , veuillez nous informer dans les 3 jours de réception. Nous pouvons organiser pour vous de remplacement si la situation est confirmée.
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