Moule de frittage en graphite à prix d′usine pour l′emballage électronique

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Application: Industrie métallurgique, industrie des semi-conducteurs
Teneur en carbone: Haute teneur en carbone
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Membre Diamant Depuis 2024

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Adresse
No. 19 Yuhe Road, Yunhe District, Cangzhou, Hebei, China
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms)
FOB, EXW, CFR, CIF
Conditions de Paiement
T/T, PayPal, Western Union
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Info de Base

N° de Modèle.
CZKBSE042
Composition
carbone
Morphologie des cristaux
structure en cristal de couche
Moyen de formation
Graphite isostatique
Grade
Grade industriel
Type
Graphite spécial ou graphite spécial
densité en vrac (g/cm³ )
1.85-1.9g/cm3
matériaux
graphite purifié
taille et forme
demande du client
couleur
gris noir
avantages
résistance à la corrosion
lieu d′origine
hebei, chine
cendre
20 ppm
Paquet de Transport
boîte en contreplaqué
Spécifications
personnalisé
Marque Déposée
ko
Origine
Chine
Capacité de Production
800000 pièces/mois

Description de Produit

Semi-conducteur  
Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic Packaging
Une substance qui conduit l'électricité est appelée conducteur, et une substance qui ne conduit pas l'électricité est appelée isolant. Les semi-conducteurs sont des substances dont les propriétés se situent quelque part entre eux.

Les semi-conducteurs sont installés dans des systèmes tels que les smartphones, les ordinateurs, les automobiles et les appareils ménagers qui sont essentiels à notre vie quotidienne. Les composants fabriqués à partir de graphite spécialisé sont essentiels à de nombreux procédés de production de semi-conducteurs.

Graphite pour semi-conducteur  

Dans l'industrie des semi-conducteurs, les matériaux en graphite sont largement utilisés en raison de leurs excellentes propriétés telles que la conductivité électrique et thermique, la résistance à la corrosion, les performances de traitement mécanique et l'auto-lubrification. Les produits en graphite peuvent non seulement améliorer l'efficacité de production et la qualité des produits, mais aussi garantir la haute fiabilité et la haute performance des dispositifs à semi-conducteurs.


Applications du graphite dans l'industrie des semi-conducteurs  

De nombreux semi-conducteurs sont fabriqués en silicium. Ce métalloïde est cultivé en cristaux simples, tranchés en fines plaquettes et, enfin, transformés en systèmes micro-électriques minuscules.  
Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic Packaging
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Le graphite peut s'appliquer à la culture du cristal ou à la finition subséquente avec l'épitaxie ou l'implantation ionique. Ces processus se déroulent à des températures très élevées et dans des environnements extrêmement corrosifs. En même temps, une pureté et une précision absolues sont requises.

1. Pièces en graphite pour la croissance de cristal Simdumbien

Les produits en graphite pour les zones chaudes de culture de cristaux comprennent  des éléments chauffants en graphite, des creusets de support, des écrans thermiques et des composants isolants.  
 
Le four à cristal unique est  un équipement de levage flexible utilisé pour la culture de cristaux uniques en utilisant la méthode Czochralski (CZ). La méthode CZ repose fortement sur des pièces en graphite de haute pureté et sur une isolation en feutre graphite. De nombreux composants dans la zone chaude du four à cristal unique sont fabriqués en graphite de haute pureté.  
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2. Jarcepteurs de graphite et composants de graphite pour l'épitrixie de silicium et de SIC  

Le graphite peut également être utilisé comme composants en graphite de haute précision pour les équipements de traitement de cachets comme les susceptibilités en graphite avec revêtement SIC.  Nous produisons des susceptibilités et des composants en graphite pour tous les réacteurs épitaxiques actuels.  

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3. Composants en graphite pour  implantation ionique

L'implantation ionique est un processus complexe et sensible utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. Au cours du processus d'implantation, les ions dopants sont accélérés et implantés dans un substrat de silicium monocristallin pour manipuler ses propriétés en vrac. Le bore, le phosphore et le germanium sont quelques-uns des matériaux dopants typiques.systèmes implanteurs dope wafers avec des atomes étrangers pour modifier les propriétés des matériaux tels que la conductivité ou la structure cristalline. Le chemin du faisceau est le centre d'un système implanteur. Ici, les ions sont générés, concentrés, fortement accélérés et concentrés sur le wafer à très haute vitesse.


Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic PackagingPropriétés idéales du produit
Les températures jusqu'à 1400 °C, les champs électromagnétiques puissants, les gaz de procédé agressifs et les forces mécaniques élevées sont un problème pour les matériaux ordinaires. Pas avec nos produits. Nos composants résistants à la chaleur en graphite offrent la combinaison idéale de résistance à la corrosion, résistance du matériau, bonne conductivité thermique et pureté absolue. Ils garantissent une production efficace des ions et une concentration précise sur la cachets dans le chemin du faisceau, sans impuretés. Nos composants et pièces de rechange en graphite permettent de garantir que ce processus est aussi efficace, précis et exempt d'impuretés que possible.
Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic Packaging
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Composants de l'implantation ionique principales caractéristiques :
Compatibilité des matériaux : les composants d'implantation ionique sont fabriqués à partir de matériaux de haute pureté, d'excellente conductivité thermique et de résistance aux environnements difficiles.
Conception de précision : les composants sont soigneusement conçus pour garantir un alignement précis du faisceau, une distribution uniforme de la dose et des effets de diffusion minimaux.
Résistance à l'usure : les composants d'implantation ionique sont revêtus ou traités pour améliorer la résistance à l'usure et minimiser la génération de particules, prolongeant ainsi leur durée de vie opérationnelle.
Contrôle de la température : des méthodes efficaces de dissipation de la chaleur sont intégrées pour maintenir la stabilité de la température pendant les processus d'implantation ionique, garantissant ainsi des résultats homogènes.
Personnalisation : les composants d'implantation ionique sont conçus pour s'adapter à des équipements spécifiques
 
Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic Packaging
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4. Moules en graphite pour  l'emballage et le frittage électroniques
Factory Price Graphite Sintering Mold for Electronic Packaging
Le moule en graphite pour le frittage et l'emballage des produits électroniques est conçu spécifiquement pour le conditionnement et le frittage des semi-conducteurs et des produits électroniques. Dans la technologie de conditionnement des semi-conducteurs, les moules en graphite sont utilisés pour transporter et fixer les puces de semi-conducteurs, ce qui garantit que les puces peuvent se coller de manière stable avec d'autres composants pendant le processus de frittage à des températures élevées et dans une atmosphère spécifique, ce qui permet d'atteindre l'objectif de l'emballage.
 
 
Caractéristiques :

Excellente conductivité thermique : le graphite a une conductivité thermique extrêmement élevée, qui peut transférer rapidement la chaleur à la surface du moule, ce qui contribue à assurer un chauffage uniforme du produit pendant le frittage et à améliorer la qualité du produit.

Bonne stabilité chimique : le graphite peut résister à l'érosion de divers produits chimiques, assurant des performances stables dans les environnements d'emballage complexes.

3. Résistance à l'usure élevée : le graphite présente une dureté élevée et une bonne résistance à l'usure, et peut résister à des opérations de frittage fréquentes et longues, prolongeant ainsi leur durée de vie.

4. Bonnes performances de traitement : le graphite est facile à usiner et peut être personnalisé en différentes formes et tailles selon les différentes exigences d'emballage.

 
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Caractéristiques techniques du matériau en graphite :  
Graphite isostatique
Propriété KBD-5 KBD-6 KBD-7 KBD-7B KBD-8 Unité
Densité apparente 1.85 1.90 1.82 1.82 1.90 g/cm3
Taille de grain max 13-15 8-10 8-10 13-15 8-10 µm
Valeur de cendres ≤500 ≤500 ≤500 ≤500 ≤500 ppm
Résistivité électrique spécifique 8-10 8-9 11-13 11-13 11-13 Ω μm
Résistance à la flexion 46 55 51 59 60 MPa
Résistance à la compression 85 95 115 121 135 MPa
Dureté du rivage 48 53 65 70 70 HSD
Expansion thermique (température ambiante jusqu'à 600 ºC) 4.75 4.8 5.8 5.8 5.85 10-6/ºC
Graphite moulé  
Propriété KBG-4 KBG-5 Unité
Densité apparente   ≥ 1.80 ≥ 1.85 g/cm3
Valeur de cendres   ≤500 ≤500 ppm
Dureté du rivage ≥ 40 ≥ 45 HSD
Résistivité électrique spécifique   ≤12 ≤12 Ω μm
Résistance à la flexion   38 41 MPa
Résistance à la compression 81 87 MPa
Taille de grain max 25 25 μm

Graphite de vibration
Propriété TSK GSK Unité
Densité apparente 1.70 1.72 g/cm3
Taille de grain max 2 0.8 mm
Résistivité électrique spécifique 8-10 8.5 Ω μm
Résistance à la flexion   12.5 15 MPa
Résistance à la compression 28 35 MPa
Porosité 24 20 %
Valeur de cendres 0.3 0.3 %

LES CENDRES peuvent être purifiées en 50 ppm, 20 ppm ou moins.  

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Équipements de production avancés  
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Un contrôle qualité strict garantit des produits de haute qualité

  
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Emballage sûr  
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Question et réponse :


Q:êtes-vous un fabricant ou une société de commerce?
R : nous fabriquons des matériaux en graphite et des produits usinés en graphite.

Q:Comment pouvez-vous gurantee la qualité?
R:nous avons les équipements les plus avancés dans notre laboratoire et l'équipe de contrôle de qualité professionnelle.nous pouvons gurantee chaque lot du produit avec la qualité stable.

Q:pouvez-vous offrir des échantillons?
R: Oui, nous offrons des échantillons à tester

Q : délai de livraison ?
R: Environ 10 jours.


Q : port d'expédition
R: Tianjin ou le port principal en Chine

Q : modalités de paiement
A:T/T,LC à vue


 

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