Semi-conducteur
Une substance qui conduit l'électricité est appelée conducteur, et une substance qui ne conduit pas l'électricité est appelée isolant. Les semi-conducteurs sont des substances dont les propriétés se situent quelque part entre eux.
Les semi-conducteurs sont installés dans des systèmes tels que les smartphones, les ordinateurs, les automobiles et les appareils ménagers qui sont essentiels à notre vie quotidienne. Les composants fabriqués à partir de graphite spécialisé sont essentiels à de nombreux procédés de production de semi-conducteurs.
Graphite pour semi-conducteur
Dans l'industrie des semi-conducteurs, les matériaux en graphite sont largement utilisés en raison de leurs excellentes propriétés telles que la conductivité électrique et thermique, la résistance à la corrosion, les performances de traitement mécanique et l'auto-lubrification. Les produits en graphite peuvent non seulement améliorer l'efficacité de production et la qualité des produits, mais aussi garantir la haute fiabilité et la haute performance des dispositifs à semi-conducteurs.
Applications du graphite dans l'industrie des semi-conducteurs
De nombreux semi-conducteurs sont fabriqués en silicium. Ce métalloïde est cultivé en cristaux simples, tranchés en fines plaquettes et, enfin, transformés en systèmes micro-électriques minuscules.
Le graphite peut s'appliquer à la culture du cristal ou à la finition subséquente avec l'épitaxie ou l'implantation ionique. Ces processus se déroulent à des températures très élevées et dans des environnements extrêmement corrosifs. En même temps, une pureté et une précision absolues sont requises.
1. Pièces en graphite pour la croissance de cristal Simdumbien
Les produits en graphite pour les zones chaudes de culture de cristaux comprennent des éléments chauffants en graphite, des creusets de support, des écrans thermiques et des composants isolants.
Le four à cristal unique est un équipement de levage flexible utilisé pour la culture de cristaux uniques en utilisant la méthode Czochralski (CZ). La méthode CZ repose fortement sur des pièces en graphite de haute pureté et sur une isolation en feutre graphite. De nombreux composants dans la zone chaude du four à cristal unique sont fabriqués en graphite de haute pureté.
2. Jarcepteurs de graphite et composants de graphite pour l'épitrixie de silicium et de SIC
Le graphite peut également être utilisé comme composants en graphite de haute précision pour les équipements de traitement de cachets comme les susceptibilités en graphite avec revêtement SIC. Nous produisons des susceptibilités et des composants en graphite pour tous les réacteurs épitaxiques actuels.
3. Composants en graphite pour implantation ionique
L'implantation ionique est un processus complexe et sensible utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. Au cours du processus d'implantation, les ions dopants sont accélérés et implantés dans un substrat de silicium monocristallin pour manipuler ses propriétés en vrac. Le bore, le phosphore et le germanium sont quelques-uns des matériaux dopants typiques.systèmes implanteurs dope wafers avec des atomes étrangers pour modifier les propriétés des matériaux tels que la conductivité ou la structure cristalline. Le chemin du faisceau est le centre d'un système implanteur. Ici, les ions sont générés, concentrés, fortement accélérés et concentrés sur le wafer à très haute vitesse.
Propriétés idéales du produit
Les températures jusqu'à 1400 °C, les champs électromagnétiques puissants, les gaz de procédé agressifs et les forces mécaniques élevées sont un problème pour les matériaux ordinaires. Pas avec nos produits. Nos composants résistants à la chaleur en graphite offrent la combinaison idéale de résistance à la corrosion, résistance du matériau, bonne conductivité thermique et pureté absolue. Ils garantissent une production efficace des ions et une concentration précise sur la cachets dans le chemin du faisceau, sans impuretés. Nos composants et pièces de rechange en graphite permettent de garantir que ce processus est aussi efficace, précis et exempt d'impuretés que possible.
Composants de l'implantation ionique principales caractéristiques :
Compatibilité des matériaux : les composants d'implantation ionique sont fabriqués à partir de matériaux de haute pureté, d'excellente conductivité thermique et de résistance aux environnements difficiles.
Conception de précision : les composants sont soigneusement conçus pour garantir un alignement précis du faisceau, une distribution uniforme de la dose et des effets de diffusion minimaux.
Résistance à l'usure : les composants d'implantation ionique sont revêtus ou traités pour améliorer la résistance à l'usure et minimiser la génération de particules, prolongeant ainsi leur durée de vie opérationnelle.
Contrôle de la température : des méthodes efficaces de dissipation de la chaleur sont intégrées pour maintenir la stabilité de la température pendant les processus d'implantation ionique, garantissant ainsi des résultats homogènes.
Personnalisation : les composants d'implantation ionique sont conçus pour s'adapter à des équipements spécifiques
Caractéristiques techniques du matériau en graphite :
Graphite isostatique
| Propriété |
KBD-5 |
KBD-6 |
KBD-7 |
KBD-7B |
KBD-8 |
Unité |
| Densité apparente |
1.85 |
1.90 |
1.82 |
1.82 |
1.90 |
g/cm3 |
| Taille de grain max |
13-15 |
8-10 |
8-10 |
13-15 |
8-10 |
µm |
| Valeur de cendres |
≤500 |
≤500 |
≤500 |
≤500 |
≤500 |
ppm |
| Résistivité électrique spécifique |
8-10 |
8-9 |
11-13 |
11-13 |
11-13 |
Ω μm |
| Résistance à la flexion |
46 |
55 |
51 |
59 |
60 |
MPa |
| Résistance à la compression |
85 |
95 |
115 |
121 |
135 |
MPa |
| Dureté du rivage |
48 |
53 |
65 |
70 |
70 |
HSD |
| Expansion thermique (température ambiante jusqu'à 600 ºC) |
4.75 |
4.8 |
5.8 |
5.8 |
5.85 |
10-6/ºC |
Graphite moulé
| Propriété |
KBG-4 |
KBG-5 |
Unité |
| Densité apparente |
≥ 1.80 |
≥ 1.85 |
g/cm3 |
| Valeur de cendres |
≤500 |
≤500 |
ppm |
| Dureté du rivage |
≥ 40 |
≥ 45 |
HSD |
| Résistivité électrique spécifique |
≤12 |
≤12 |
Ω μm |
| Résistance à la flexion |
38 |
41 |
MPa |
| Résistance à la compression |
81 |
87 |
MPa |
| Taille de grain max |
25 |
25 |
μm |
Graphite de vibration
| Propriété |
TSK |
GSK |
Unité |
| Densité apparente |
≥ 1.70 |
≥ 1.72 |
g/cm3 |
| Taille de grain max |
≤2 |
≤0.8 |
mm |
| Résistivité électrique spécifique |
8-10 |
≤8.5 |
Ω μm |
| Résistance à la flexion |
≥ 12.5 |
≥ 15 |
MPa |
| Résistance à la compression |
≥ 28 |
≥ 35 |
MPa |
| Porosité |
≤24 |
≤20 |
% |
| Valeur de cendres |
≤0.3 |
≤0.3 |
% |
LES CENDRES peuvent être purifiées en 50 ppm, 20 ppm ou moins.
Équipements de production avancés
Un contrôle qualité strict garantit des produits de haute qualité
Emballage sûr
Question et réponse :
Q:êtes-vous un fabricant ou une société de commerce?
R : nous fabriquons des matériaux en graphite et des produits usinés en graphite.
Q:Comment pouvez-vous gurantee la qualité?
R:nous avons les équipements les plus avancés dans notre laboratoire et l'équipe de contrôle de qualité professionnelle.nous pouvons gurantee chaque lot du produit avec la qualité stable.
Q:pouvez-vous offrir des échantillons?
R: Oui, nous offrons des échantillons à tester
Q : délai de livraison ?
R: Environ 10 jours.
Q : port d'expédition
R: Tianjin ou le port principal en Chine
Q : modalités de paiement
A:T/T,LC à vue
