• Bloc d′isolation dissipateur thermique pour transistor IGBT MOS de Power Devices
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Bloc d′isolation dissipateur thermique pour transistor IGBT MOS de Power Devices

Application: Refractory, Structure Ceramic, Industrial Ceramic, Insulation Ceramic
Material: Alumina Ceramic
Type: Ceramic Parts
nom du produit: Alumina Ceramic Thermal Pad
qualité du matériau: 95% Alumina or Aluminum Nitride
couleur: blanc, gris

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Aperçu

Info de Base.

N° de Modèle.
Standard
fonction
isolation élevée, résistance mécanique élevée
About Pictures
for Reference Only
About The Quotation
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Paquet de Transport
Individual Packaging
Spécifications
Max. 800mm mmx 1000mm x 30mm
Marque Déposée
JingHui
Origine
China
Code SH
8547100000
Capacité de Production
500000PCS/Month

Description de Produit

Bloc d'isolation dissipateur thermique pour transistor IGBT MOS de Power Devices
 

Description du produit

Power Devices Heatsink Insulation Pad for MOS Transistor IGBT Transistor
Le tampon céramique pour MOSFET À l'emballage est fait d'alumine à 95% (al2o3) qui est une céramique technique.  Il offre une conductibilité thermique élevée jusqu'à 24 W/M.K. Par conséquent, le tampon céramique pourrait transférer rapidement la chaleur du ci générée vers l'extérieur et assurer la fiabilité des puces.  


La qualité visuelle du tampon céramique d'alumine est essentielle au processus d'assemblage. Ainsi, le processus d'ébavurage et de polissage sera manipulé avant l'expédition, puis s'assurera que la surface lisse ne présente aucune bavure.  


En outre, le tampon céramique d'alumine dans l'application pourrait offrir d'autres forces, telles que l'isolation électrique merveilleuse  résistance mécanique élevée et la résistance à la corrosion. Le tampon en céramique peut prolonger de manière significative la durée DE vie DE L'EMBALLAGE.

 

La spécification

Nous avons produit différents tampons en céramique d'alumine standard pour MOS À l'emballage. Reportez-vous au tableau suivant en détail :
 

N/S Schéma Type Taille
1
 
Power Devices Heatsink Insulation Pad for MOS Transistor IGBT Transistor
 
Pour TO-220 20 mm *14 mm * 1 mm avec  trou φ5mm
2 Pour TO-220 18,5 mm * 12 mm * 1 mm avec trou φ3.8mm
3 Pour TO-247 22 mm * 17 mm * 1 mm avec trou φ3.7mm
4 Pour TO-264 28 mm * 22 mm * 1 mm avec trou de 3,4 mm
5 Pour TO-3P 25 mm * 20 mm * 1 mm avec trou φ4mm

Remarque :  les tampons en céramique d'alumine de 0,6 mm d'épaisseur sont des pièces standard.
 

Applications types


Ces patins en céramique d'alumine sont largement utilisés dans les MOS/ci/triode, les diodes et IGBT, les dispositifs de communication haute fréquence, l'alimentation de commutation haute densité, les machines de soudage à haute fréquence, etc.  

Pourquoi nous choisir?

Nous avons intégré des lignes de production à partir de la formulation des matières premières, de la mise en forme, du frittage et du processus secondaire en interne, nous pourrions donc bien contrôler la cohérence de la qualité et des coûts de fabrication.  Power Devices Heatsink Insulation Pad for MOS Transistor IGBT Transistor

Certifications

Power Devices Heatsink Insulation Pad for MOS Transistor IGBT Transistor

Nos partenaires

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Si vous recherchez des coussins en céramique pour votre MOSFET, n'hésitez pas à nous appeler ou à nous envoyer un e-mail. Nous y serons à tout moment.

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73901.09 USD
Surface de l'Usine
100 Mètres Carrés