Composants électroniques SVF2N65F/N/MJ/D 2A 650V MOSFET

• Personnalisation: Disponible
• Type conducteur: Circuit intégré unipolaire
• Intégration: LSI
• N° de Modèle.: SVF2N65F/N/MJ/D
• Techniques: Circuit intégré à film mince
• couleur: noir
• Paquet de Transport: carton
• Spécifications: ca 85-265v
• Marque Déposée: silan
• Origine: Chine
• Code SH: 8542399000

Description de Produit

-Feuille de données
 

*    Description générale

Fonds bénévole spécial2N65F/N/MJ/D est un mode d'amélioration de canal N MOS de puissance transistor à effet de champ qui est produit à l'aide Silan propriétaire VDMOS CellTM F-structure de la technologie.

L'amélioration de la bande planaire cellule et l'amélioration de la cosse à anneau de garde ont été spécialement conçus pour minimiser la résistance à l'État, de fournir des performances de commutation supérieure, et à résister aux impulsions haute énergie dans l'avalanche et commutation de mode.

Ces dispositifs sont largement utilisés dans l'AC-DC fournisseurs d'alimentation, convertisseurs CC-CC et PWM de pont en H de drivers de moteur.



* Les fonctions
 

1.	2a, 650V, RDS(ON)typ. ) = 4, 3@VGS=10V
2.	Sir faible
3.	Commutation rapide
4.	L'amélioration de la capacité dv/dt

 

* Schéma typique de l'application















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