• Transistor à haut rendement SBD20C200F Schottky Doide à faible perte de puissance
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Transistor à haut rendement SBD20C200F Schottky Doide à faible perte de puissance

shape: DIP
Conductive Type: Unipolar Integrated Circuit
Integration: LSI
Technics: Thin Film IC
couleur: noir
Paquet de Transport: Carton

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Info de Base.

N° de Modèle.
SBD20C200F
Spécifications
AC 85-265V
Marque Déposée
Silan
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
10000000

Description de Produit

-Fiche technique
 

*  Description générale

SBD20C200T/F/K/S est la diode de redressement schottky qui adopte la technologie épitaxiale silicium,

il est largement utilisé dans l'alimentation de commutation, les circuits de protection, etc.




* caractéristiques

1. Anneau de protection pour la protection contre les contraintes
2. Capacité de surtension élevée
3. Faible perte de puissance, haut rendement
4. Faible chute de tension directe




* Schéma d'application typique
 


Low power loss SBD20C200F Schottky Doide high efficiency Transistor
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Pourquoi nous choisir?

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Remarques

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Capital Social
1.85 Million USD
Disponibilité OEM/ODM
Yes