Type: | Hall Type |
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Output Signal Type: | Analog Output |
Production Process: | SemiConductor Integrated |
Material: | Plastic |
Accuracy Grade: | 0.5G |
Application: | VFD, Inverter, Smart Grid, Relay Protection |
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* installation facile
Caractéristiques électriques : (Ta=25ºC, VC=+3,3VDC, RL=2kilohms, CL=10000pF) | ||||
Parmètre Réf |
CHB20BS3S1H | CHB50BS3S1H | CH100BS3S1H | CHB200BS3S1H |
Entrée nominale IPN(A) | 20 | 50 | 100 | 200 |
Plage de mesure IP(A) | 0~±20 | 0~±50 | 0~±100 | 0~±200 |
Rapport de tours NP/NS (T) | 1:2000 | 1:2500 | 1:4000 | 1:4000 |
Résistance intérieure RM(ohm) | 31.25±0.1% | 15.6±0.1% | 12.5±0.1% | 6.25±0.1% |
Tension de sortie Vo(V) | 1.650±1.250*(IP/IPN) | |||
Tension de sortie Vo(V) | @IP=0,T=25°C 1.6500 | |||
Tension de référence VR(V) | @Internal Reference,reout 1.650 | |||
Tension d'alimentation VC(V) | +3,3 ±5 % | |||
Précision XG(%) | @IPN,T=25°C < ±0.5 | |||
Tension de décalage VOE (mV) | @IP=0,T=25°C < ±10 | |||
Variation de température de la VOT VOE ( mV/°C) | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±0.05 |
|||
Erreur de linéarité εr(%FS) | < 0.1 | |||
Di/dt suivi avec précision (A/µs) | > 50 | |||
Temps de réponse tra(µs) | @90% de l'IPN < 1.0 | |||
Consommation de courant IC (mA) | 10 + est | |||
Bande passante BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||
Tension d'isolation Vd(KV) | À 50 / 60Hz, 1 min, AC 3.0 |
Données générales : | |
Paramètre | Valeur |
Température de fonctionnement TA(°C) | -40 ~ +85 |
Température de stockage TS(°C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 70 |
Matériau plastique | PBT G30/G15, UL94- V0 ; |
Normes | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensions (mm) : | |
Connexion | |
Tolérance générale | |
Tolérance générale :< ±0,5 mm Trou primaire : 10.5*20.5±0.3 Connexion de secondaire : 2510-04A (au lieu de Molex 5045-04A) |
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