Type: | Hall Type |
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Output Signal Type: | Analog Output |
Production Process: | SemiConductor Integrated |
Material: | Plastic |
Accuracy Grade: | 0.5G |
Application: | Elevator Current Detection |
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* installation facile
Caractéristiques électriques : (Ta=25ºC, VC=+5,0 VDC, RL=2kilohms, CL=10000pF) | ||||||
Parmètre Réf |
CHB03ES5S6H | CHB10ES5S6H | CHB25ES5S6H | CHB50ES5S6H | CHB75ES5S6H | CHB100ES5S6H |
Entrée nominale IPN(A) | 03 | 10 | 25 | 50 | 75 | 100 |
Plage de mesure IP(A) | 0~±9.6 | 0~±32 | 0~±80 | 0~±120 | 0~±150 | 0~±150 |
Rapport de tours NP/NS (T) | 1:960 | 1:800 | 1:2000 | 1:2000 | 1:2000 | 1:2000 |
Résistance intérieure RM(ohm) | 50±0.1% | 50±0.1% | 50±0.1% | 25±0.1% | 16.5±0.1% | 16.5±0.1% |
Tension de sortie Vo(V) | 2.500±0.625*(IP/IPN) | |||||
Tension de sortie Vo(V) | @IP=0,T=25°C 2.500 | |||||
Tension de référence VR(V) | @Internal Reference,re out 2.500 | |||||
Tension d'alimentation VC(V) | +5,0 ±5% | |||||
Précision XG(%) | @IPN,T=25°C < ±0.2 | |||||
Tension de décalage VOE (mV) | @IP=0,T=25°C < ±10 | |||||
Variation de température de la VOT VOE ( mV/°C) | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±0.05 |
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Erreur de linéarité εr(%FS) | < 0.1 | |||||
Di/dt suivi avec précision (A/µs) | > 50 | |||||
Temps de réponse tra(µs) | @90% de l'IPN < 1.0 | |||||
Consommation de courant IC (mA) | 10 + est | |||||
Bande passante BW (KHZ) | @-3dB, IPN DC-200 | |||||
Tension d'isolation Vd(KV) | À 50 / 60Hz, 1 min, AC 3.0 |
Données générales : | |
Paramètre | Valeur |
Température de fonctionnement TA(°C) | -40 ~ +85 |
Température de stockage TS(°C ) | -55~ +125 |
Masse M(g ) | 13 |
Matériau plastique | PBT G30/G15, UL94- V0 ; |
Normes | IEC60950-1:2001 |
EN50178:1998 | |
SJ20790-2000 |
Dimensions (mm) : | |
Connexion | |
Tolérance générale | |
Tolérance générale :< ±0,2 mm Trou traversant primaire : D8.2±0,15 mm ; Broche secondaire : 4broche 0.65*0.65 ; |
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