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Fournisseur Audité La cible ITO est un matériau céramique d'oxyde d'étain d'indium fonctionnel, utilisé pour le dépôt de films minces conducteurs transparents ITO avec pulvérisation de magnétron. Il est produit en utilisant le procédé céramique classique à la pression ambiante, sous la forme de segments de tube/plan qui sont liés dans la cible ITO.
| Spécification des cibles | |
| Application | Matériaux de pulvérisation PVD |
| Matériau | ITO (In2O3:SnO2 =90:10) |
| Pureté | 4N |
| Taille | personnalisé |
| Epaisseur | personnalisé |
| Forme | Cible de pulvérisation rotative, Type d'anneau, Type de feuille, Type de plat et Type de tube |
| Densité | ≥7,13 g/cm3 |
| Densité relative (%) | ≥ 99.5 |
| Méthode de production | fritté |
| Matériau | Pureté (N) |
Composants (poids %) |
Densité | Fusion Point |
Thermique Conductivité (WM-1K-1) |
Coefficient de extension (10-6k-1) |
Production Processus |
| Alliage d'aluminium | 5N | - | 2.7 | 660 | 235 | 23.1 | Fusion |
| CR | 3N5 | - | 7.22 | 1907 | 94 | 4.9 | HANCHE |
| Cu | 4N | - | 8.9 | 1084 | 400 | 16.5 | Fusion |
| Alliage magnéto-optique | 3N5 | - | 10.28 | 2623 | 139 | 4.8 | HANCHE |
| NB | 4N | - | 8.6 | 2477 | 54 | 7.3 | Fusion |
| Ta | 4N | - | 16.7 | 3017 | 57 | 6.3 | Fusion |
| Si | 4N | - | 2.33 | 1414 | 150 | 2.6 | Frittage et pulvérisation |
| TI | 5N | - | 4.5 | 1670 | 22 | 8.6 | Fusion |
| W | 4N | - | 19.25 | 3422 | 174 | 4.5 | HANCHE |
| AZO | 3N5 | 98:2 | 5.6 | 1975 | 22 | 1.5 | Frittage |
| ITO | 4N | 90:10 | 7.15 | 2000 | 15 | 2.0 | Frittage |
| GZO | 3N5 | COMME DEMANDÉ | 7.15 | - | - | - | Frittage |
| IGZO | 4N | COMME DEMANDÉ | - | - | - | - | Frittage |
| Boîte-clés | 4N | - | 4.6 | 1460 | 5 | 1.5 | Frittage et pulvérisation |
| TIOX | 4N | - | 4.23 | 1800 | 4 | 7.14 | Frittage et pulvérisation |
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