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Le titane, avec le nom anglais de titane, a le symbole d'élément de Ti, le nombre atomique de 22, la densité de 4,454g/cm3, Et les propriétés physiques du point de fusion de 1668ºC, du point d'ébullition de 3262ºC, de la capacité calorifique spécifique de 0.52 (J/(kg·K)), de la chaleur d'évaporation de 421 (KJ/mol), de la chaleur de fusion de 15.45 (KJ/mol) et de la conductivité électrique de 0.0234 (106/cm). En raison du coût élevé du titane de haute pureté, son champ d'application est extrêmement limité, principalement utilisé comme matériau semi-conducteur et comme matériau getter dans les dispositifs à vide ultra-élevé. Le titane de haute pureté possède des propriétés d'absorption de gaz, notamment l'hydrogène, le CH4, l'absorption de gaz CO2, ce qui lui permet d'être largement utilisé dans les systèmes à vide élevé et à vide ultra-élevé. Lors de l'utilisation de sputtering en titane de haute pureté pour fabriquer des réseaux de circuits LSI, VLSI, ULSI, ces composants intégrés peuvent devenir extrêmement légers, fins, petits et denses dans le câblage.
| Nom du produit | Pastilles TI |
| Formule chimique | TI |
| Pureté (%) | 99.99 % |
| Dimensions | Φ3.0*5,0 mm,Φ3.0*6,0 mm |
| Température d'évaporation (ºC) | 1668ºC |
| Densité (g/cm3) | 4,5g/cm3 |
| N° CAS | N/M |
| Formes disponibles | Granulés |
| Application | Revêtement par évaporation |
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