(Composants électroniques) Transistors NPN en silicium haute tension Mmbt5551lt1g

• Personnalisation: Disponible
• Type conducteur: Circuit intégré unipolaire
• capacité d′approvisionnement: 1000000 pièces par mois
• N° de Modèle.: MMBT5551LT1G
• quantité minimale d′emballage: 2500 pièces
• emballage brut minimum: 0.62 kg
• pays d′origine: chine
• année de fabrication: 2021
• forme: trempez
• Paquet de Transport: boîte en carton
• Spécifications: 22x17
• Marque Déposée: edt
• Origine: Zhejiang
• Code SH: 8529905000
• Capacité de Production: 1000000

Description de Produit

Aperçu

Détails rapide

Numéro de modèle :       BZX84C3V9
Type :                circuit intégré

Lieu d'origine :       la province de Guangdong, Chine

Nom de marque:         NSGD

Applications :         l'application industrielle

Capacité d'alimentation

Capacité d'alimentation 1000000 morceau/pièces par mois

 

L'emballage et livraison

délai de livraison :

Quantité(pièces)	1  -  1000	>1000
Est. Le temps(jours)	7	Pour être négociée