La spécification
| Type de silicium |
Taille |
Motif de l'électrode avant |
| Mono-cristallin |
182*182±0.5Φ247mm |
Dix de la barre omnibus |
| Intervalle :17.3mm |
| Les éléments de paramètre |
|
|
La spécification |
La tolérance |
Unité |
|
| La surface avant |
Un |
Quantité de doigt |
140 |
- |
- |
| |
B |
Largeur de barre omnibus avant |
1 |
±0,1 |
Mm |
|
| |
C |
Distance entre les barres omnibus |
17.3 |
±0,15 |
Mm |
|
| Surface rare |
Un |
De retour de la largeur de barre omnibus |
1.6 |
±0,3 |
Mm |
| |
B |
La distance entre l'arrière des barres omnibus |
17.3 |
±0,15 |
Mm |
|
| |
C |
De retour de la quantité de doigt |
160 |
- |
- |
|
| L'eff (%) |
L'efficacité(%) |
Pmip(W) |
Impp(A) |
Umpp(V) |
Isc(A) |
Uoc(V) |
| 22,6 |
22.6-22.7 |
7.46 |
12.604 |
0.592 |
13.226 |
0.688 |
| 22,5 |
22.5-22.6 |
7.43 |
12.57 |
0,591 |
13.187 |
0.687 |
| 22.4 |
22,4-22,5 |
7.4 |
12.535 |
0.59 |
13.147 |
0.686 |
| 22.3 |
22.3-22.4 |
7.36 |
12.5 |
0.589 |
13.108 |
0,685 |
| 22.2 |
22.2-22.3 |
7.33 |
12.465 |
0.588 |
13.068 |
0.684 |
| 22.1 |
22.1-22.2 |
7.3 |
12.43 |
0.587 |
13.028 |
0.683 |
| 22 |
22.0-22.1 |
7.26 |
12.395 |
0.586 |
12.988 |
0.682 |
| 21 |
21.9-22.0 |
7.23 |
12.36 |
0.585 |
12.948 |
0.681 |
| Les propriétés électriques |
|
|
| Cov:-0,3 %/ºC |
L'intensité:1000 W/m² |
| Isc : +0.06 %/ºC |
Spectre:AM1.5G |
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Ligne de production de cellules solaires
Nettoyage et la texture : gaufrettes sont nettoyés avec des industriels de savons et de la forme base carrée pyramides aussi appelé la texture. La texturisation contribue à réduire la réflexion du soleil.
Diffusion : gaufrettes qu ont été pré-droped avec bore pendant le procédé de moulage sont alors donné un négatif(n-type) caractéristique de surface par diffusion d'entre eux avec une source de phosphore à haute température, qui à son tour crée le résultat négatif/positif(n-p) de la jonction.
La gravure : phosphore se diffuse pas seulement dans la surface de wafer souhaité mais aussi sur le côté et l'inverse de la surface à forme PN. Cela donne un shunt chemin entre la cellule avant et arrière. Dépose de la voie autour de la galette Edge/Bord de l'isolement de jonction est nommé la gravure.
PECVD: par PECVD l'équipement, les gaufrettes sont enduites avec revêtement anti-reflet(ARC). C'est le bleu de nitrure de silicion film afin de réduire la réflexion et de promouvoir l'absorption de lumière.
Impression & chauffage : il a été adopté par l'impression de coller avec la technologie de l'écran pour imprimer les électrodes de silicion solaire, et forme un bon contact ohmique.
Test et de tri : cela signifie que classer les cellules en fonction de leur efficacité testée sous la simulation de la lumière du soleil.
Fournisseur Audité 
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