forme: | Appartement |
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Conductive type: | Unipolaires Integrated Circuit |
L′intégration: | GSI |
Technique: | Thick Film IC |
package: | sot-23 |
type de montage: | montage en surface |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Catégorie de produit : | MOSFET | |
RoHS : | Détails | |
Technologie : | Si | |
Type de montage : | CMS/CMS | |
Emballage/caisse : | SOT-23-3 | |
Polarité du transistor : | Canal N | |
Nombre de canaux : | 1 canal | |
VDS - tension de rupture de la source de vidange : | 100 V. | |
ID - courant de vidange continu : | 170 mA | |
RDS on - résistance de la source de drainage : | 6 ohms | |
VGS - tension de la source de la porte : | - 20 V, + 20 V. | |
VGS TH - tension seuil de la source de porte : | 1.6 V. | |
QG - charge de grille : | - | |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C. | |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 C. | |
PD - dissipation de puissance : | 225 mW | |
Mode canal : | Amélioration | |
Emballage : | Rabatteur | |
Emballage : | ||
Emballage : | ||
Marque : | ||
Configuration : | Simple | |
Transconductance directe - min : | 80 MS | |
Hauteur : | 0.94 mm | |
Longueur : | 2.9 mm | |
Produit : | MOSFET petit signal | |
Type de produit : | MOSFET | |
Série : | BSS123L | |
30000 | ||
Sous-catégorie : | MOSFET | |
Type de transistor : | 1 canal N | |
Type : | MOSFET | |
Délai de mise hors tension type : | 40 ns | |
Délai de mise sous tension type : | 20 ns | |
Largeur : | 1.3 mm | |
Poids de l'unité : | 0.000282 oz |
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