Transistor MOSFET 2n7002khe3-TP IC canal N 60 V 340mA 350MW CMS SOT-23

• forme: Appartement
• Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit
• L′intégration: GSI
• Technique: Thick Film IC
• package: sot-23
• type de montage: montage en surface
• N° de Modèle.: 2N7002KHE3-TP
• description: circuit intégré
• applications: transistor mosfet
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: standard
• Marque Déposée: MCC
• Origine: Image originale
• Code SH: 85423100
• Capacité de Production: 10000PCS/Month

Description de Produit

Transistor MOSFET 2N7002KHE3-TP IC canal N 60 V 340mA 350mW CMS SOT-23

 

Numéro de modèle	2N7002KHE3-TP
Type	MOSFET
Lieu d'origine	Chine
Nom de marque	Original
D/C	Nouveau
Type de package	Montage en surface
Application	Transistor MOSFET
Médias disponibles	fiche technique
Marque	2N7002KHE3-TP
Puissance - max	350 mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type FET	Canal N
Fonction FET	-
Tension de vidange à la source (Vdss)	60 V.
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.	340 mA
RDS activé (max.) @ ID, Vgs	2,5 ohms @ 300 mA, 10 V.
VGS(th) (Max) @ ID	2,5 V @ 1 mA
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS	40 pF @ 10 V.
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)	4,5V, 10V

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