Transistor MOSFET Ipp120n10s403aksa1 à circuit intégré N-CH 100V 120A TO220-3

• forme: Appartement
• Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit
• L′intégration: GSI
• Technique: Thick Film IC
• package: to-220-3
• type de montage: montage en surface
• N° de Modèle.: IPP120N10S403AKSA1
• description: mosfet to220-3 à canal n
• applications: trou traversant
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: standard
• Marque Déposée: TI
• Origine: Original
• Code SH: 85423100
• Capacité de Production: 10000PCS/Month

Description de Produit

PUCE IC IPP120N10S403AKSA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

 

Numéro de pièce	IPP120N10S403AKSA1
Description	MOSFET N-CH TO220-3
Quantité minimale	1
Emballage	Tube
Série	Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™
Type FET	Canal N
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension de vidange à la source (Vdss)	100 V.
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.	120 a (TC)
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)	10V
RDS activé (max.) @ ID, Vgs	3.9 mOhm à 100 a, 10 V.
VGS(th) (Max) @ ID	3,5V @ 180µA
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs	140 nC @ 10 V.
VGS (max.)	±20 V.
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS	10120 pF @ 25 V.
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250 W (TC)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Trou traversant
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3-1
Emballage/caisse	TO-220-3

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