Photo du produit : Paramètre de produit :
| Le paramètre |
Symbole |
Conditions générales |
Valeur |
Unité |
| Tension Collector-Emitter |
VCES |
VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25ºC |
1200 |
V |
| Courant de collecteur en continu |
IC |
Tc=80ºC, Tvjmax=175ºC |
100 |
Un |
| Pic de courant collecteur |
ICRM |
Tp=1ms |
200 |
Un |
| Tension Gate-Emitter |
VGES |
Tvj=25ºC |
±20 |
V |
| Puissance dissipée totale (IGBT-convertisseur) |
Ptot |
Tc=25ºC Tvjmax=175ºC |
560 |
W |
Fonctionnalités Faible inductance cas Faibles pertes de commutation Capteur de température NTC intégré Plaque de base isolés Y compris la récupération rapide et souple anti-parallèle le pont avant Haute capacité de court-circuit(10US) Faible inductance de la structure du module Température de jonction 175ºC maximum Avantages Convertisseur de courant de sortie supérieur pour la même taille de trame Réduit les coûts du système par la simplification de l'onduleur systems Assemblage facile et plus fiable Haute fiabilité inter-connexion Adapté pour une presse dans & processus de soudure Les applications Commerciales, la construction et de véhicules agricoles (CAV) Et les lecteurs de commande du moteur Solutions pour les systèmes de l'énergie solaire Alimentation non interruptible (UPS) La commutation souple machine à souder L'AC et DC servo amplificateur d'entraînement E75 module IGBT est un des plus populaires les paquets de l'IGBT à travers le monde et est utilisé dans de nombreuses applications différentes, telles que les lecteurs à usage général; Commercial, de la construction et de véhicules agricoles ainsi que du vent solaire eBus;;;; et enfin de l'onduleur de traction, de la transmission et de distribution. Dans la dernière génération de module il est maintenant possible d'augmenter l'intensité du module à 150 A. C'est possible grâce à la nouvelle technologie permettant une plus grande densité de puissance et réduit les coûts de nomenclature. Schéma de circuit Dessin de package Produits de la série E75 :
| Modèle |
Vces(V) |
Ic(T=80)(A) |
VCE(sat) Tj=125ºC |
Eon+eof(Tj=125)(MJ) |
Rthjc(KW) |
| WGL50F120E75 |
1200 |
50 |
1.85 |
11.88 |
0.41 |
| WGL75F120E75 |
1200 |
75 |
1.85 |
15.96 |
0,33 |
| WGL100F120E75 |
1200 |
100 |
1.85 |
17,48 |
0.20 |
| WGL150F120E75 |
1200 |
150 |
1.85 |
34.2 |
0.17 |
FAQ : 1.Pourquoi est spécifié pour l'IGBT 175ºC surcharge ? Le CTEC IGBT est conçu pour fonctionner à une température constante de 175°C. La limitation de surcharge est donnée par l'emballage. La plupart des applications sont conçues avec une surcharge profil et d'ici l'IGBT est un ajustement parfait. Le CIEC est le plus bas de l'IGBT pertes statique. 2.Comment traiter la haute charge de grille spécifiée pour la fiche technique de l'IGBT ? La charge de grille spécifiée dans la fiche technique n'est pour une opération avec VGE de ± 20 vge V. La plupart des clients à utiliser dans la gamme de +5,4 V à +7 V. ici la charge de grille est beaucoup plus bas et avec cette valeur, typique des fréquences de commutation peuvent être traitées avec des disques durs standard. 3.support technique Afin de nous permettre de traiter votre demande aussi efficacement que possible et s'assurer que votre cas est dûment signalé, nous vous prions de nous soumettre votre demande via notre équipe de service.
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