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GT12N06S 60V 12A Triode transistor MOSFET de silicium pour BMS application
Mosfet de tranchée de la porte du bouclier, comparativement à la tranchée ordinaire MOS, SGTMOS a amélioré la ventilation, de plus petites de champ électrique
La taille de la puce et de mieux Rdson.
| Numéro de pièce | GT12N06S |
| VDSS | 60V |
| ID | 12A |
| RDS | 7,6 mΩ @ vgs=10V |
| Ve | 1,7 V |
| Paquet | SOP-8 |
| Ciss | 1988 pF |
| Sir | 14 pF |
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Nous sommes professionnels La R&D fabricant de produits de MOSFET.GOFORD Semiconductor a été le développement dans une société mondiale
Avec des bureaux à l'USA, Hong Kong,Australie,ShenZhen et Jiang Su.
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Relations avec les usines de la DFA et une bonne capacité de commercialisation.
Nous fournir un solide support technique pour nos produits. Avec un grand volume de ventes,nous pouvons assurer la bonne compétitivité tant dans
La qualité et prix. Nous aimerions travailler avec des amis du monde entier.
Notre produit les applications sont : Commande de moteur,l'adaptateur de téléphone mobile ou le chargeur,cigarettes électroniques,d'éclairage LED,et ondulation de gradation
Remover application,mobile,d'alimentation, circuit de rectification synchrone,E -outils et de UPS ou inverseurs, l'électronique numérique,etc.
1. Spécialiste des MOSFET et professionnel.
2. Strong R & D, avec l'équipe à la fois dans la Silicon Valley U.S.A et Shenzhen, Guangdong.
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