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Transistor de puissance GT095N10D5 MOSFET 100 V 60 a pour jonction de module intelligent Boîte
MOSFET à grille blindée, comparé au MOS de tranchée ordinaire, le SGTMOS a amélioré le champ électrique de claquage, plus petit
Taille de puce et meilleur Rdson.
| Numéro de pièce | GT095N10D5 |
| VDSS | 100 V. |
| ID | 60A |
| RDS | 9 mΩ @ vgs=10 V. |
| Vth | 1,7 V. |
| PackageDFN | DFN5X6 |
| CISS | 2122 pF |
| FCR | 618 pF |
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Application de dépose,alimentation mobile,synchrone,circuit de rectification,E -outils et onduleurs, électronique numérique,etc
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