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MOSFET à super jonction 650 V 11A TO-252
Efficacité : rendement à pleine charge à charge légère plus élevé, Rdson et QG ultra-faibles, réduisant efficacement les pertes ;
Faible augmentation de la température : consommation d'énergie réduite, réduction efficace de la température de fonctionnement globale de l'alimentation,
prolonger la durée de service de l'alimentation ;
Stabilité élevée : processus de fabrication planaire, capacité EAS élevée, par rapport au processus de rainure SJ MOS pour fournir plus
protection efficace contre les chocs de puissance, améliorant considérablement la stabilité à haute température.
Meilleures performances EMI.
| Numéro de pièce | GC11N65k |
| VDSS | 650 V. |
| ID | 11A |
| RDS | 360 mΩ @ vgs=10 V. |
| Vth | 2.5 À 4 V. |
| Package | TO-220 |
| CISS | 901 pF |
| FCR | 5.5 pF |
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Avec des bureaux aux États-Unis, à Hong Kong, en Australie, à Shenzhen et à Jiang su.
Nous avons également établi de longues et bonnes relations avec les grandes usines de Fab en Chine et à l'étranger. Notre force est en R&D, bon
Relation avec les usines Fab et bonne capacité de marketing.
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qualité et prix. Nous aimerions travailler avec des amis du monde entier.
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Application de dépose,alimentation mobile,synchrone,circuit de rectification,E -outils et onduleurs, électronique numérique,etc
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