Moule en graphite de haute pureté pour implantation ionique dans Semiconductor

• Type: Graphtie Parts
• Composition: Carbon
• Teneur en carbone: Fort Carbone
• Grade: Grade Industriel
• Formant Way: Graphite Isostatique
• densité: 1.85 g/cm3
• N° de Modèle.: HBHTSEM012
• résistance spécifique: No More Than 8.5
• résistance à la compression: 34 MPa Min
• forme: Cuistomized
• matériau: graphite purifié
• Paquet de Transport: Wooden Case
• Spécifications: Customized
• Origine: Hebei, China
• Capacité de Production: 500000 Piece/Pieces Per Month

Description de Produit

 Semi-conducteur

Le semi-conducteur désigne le matériau dont la conductivité se situe entre le conducteur et l'isolant à température normale. Les semi-conducteurs sont utilisés dans les circuits intégrés, l'électronique grand public, les systèmes de communication, la production d'énergie photovoltaïque, l'éclairage, conversion de puissance élevée et autres domaines. Par exemple, les diodes sont des dispositifs fabriqués à partir de semi-conducteurs. Du point de vue de la technologie ou du développement économique, l'importance des semi-conducteurs est très importante.
 

A propos de l'implantation ionique Introduction

L'implantation ionique est un processus complexe et sensible utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. Au cours du processus d'implantation, les ions dopants sont accélérés et implantés dans un substrat de silicium monocristallin pour manipuler ses propriétés en vrac. Le bore, le phosphore et le germanium sont quelques-uns des matériaux dopants typiques.systèmes implanteurs dope wafers avec des atomes étrangers pour modifier les propriétés des matériaux tels que la conductivité ou la structure cristalline. Le chemin du faisceau est le centre d'un système implanteur. Ici, les ions sont générés, concentrés, fortement accélérés et concentrés sur le wafer à très haute vitesse.
 

 

Composants de l'implantation ionique principales caractéristiques :
Compatibilité des matériaux : les composants d'implantation ionique sont fabriqués à partir de matériaux de haute pureté, d'excellente conductivité thermique et de résistance aux environnements difficiles.
Conception de précision : les composants sont soigneusement conçus pour garantir un alignement précis du faisceau, une distribution uniforme de la dose et des effets de diffusion minimaux.
Résistance à l'usure : les composants d'implantation ionique sont revêtus ou traités pour améliorer la résistance à l'usure et minimiser la génération de particules, prolongeant ainsi leur durée de vie opérationnelle.
Contrôle de la température : des méthodes efficaces de dissipation de la chaleur sont intégrées pour maintenir la stabilité de la température pendant les processus d'implantation ionique, garantissant ainsi des résultats homogènes.
Personnalisation : les composants d'implantation ionique sont conçus pour s'adapter à des équipements spécifiques
 

 

Propriétés idéales du produit
Les températures jusqu'à 1400 °C, les champs électromagnétiques puissants, les gaz de procédé agressifs et les forces mécaniques élevées sont un problème pour les matériaux ordinaires. Pas avec nos produits. Nos composants résistants à la chaleur en graphite offrent la combinaison idéale de résistance à la corrosion, résistance du matériau, bonne conductivité thermique et pureté absolue. Ils garantissent une production efficace des ions et une concentration précise sur la cachets dans le chemin du faisceau, sans impuretés. Nos composants et pièces de rechange en graphite permettent de garantir que ce processus est aussi efficace, précis et exempt d'impuretés que possible.
 

Équipements avancés :  
 

 

Propriété de matériau Graphtie :  

Propriété (Valeur type)	TSK	GSK	Unité
Densité apparente	≥ 1.68	≥ 1.72	g/cm3
Taille de grain max	≤2	≤0.8	mm
Résistivité électrique spécifique	8-10	≤8.5	Ω μm
Résistance à la flexion	≥ 12.5	≥ 15	MPa
Résistance à la compression	≥ 28	≥ 35	MPa
Porosité	≤24	≤20	%
Valeur de cendres	≤0.3	≤0.3	%

 

Propriété (Valeur type)	HTG-4	HTG-5	Unité
Densité apparente	≥ 1.78	≥ 1.85	g/cm3
Taille de grain max	≤43	≤43	µm
Valeur de cendres	≤500	≤500	ppm
Résistivité électrique spécifique	≤12	≤10	Ω μm
Résistance à la flexion	≥ 35	≥ 40	MPa
Résistance à la compression	≥ 60	≥ 70	MPa
Dureté du rivage	≥ 40	≥ 45	HSD
Expansion thermique (température ambiante jusqu'à 600 ºC)	≤4.5	≤4.4	10-6/ºC

 

Propriété (Valeur type)	HTD-5	HTD-6	HTD-7	HTD-8	HTD-9	Unité
Densité apparente	1.85	1.90	1.82	1.90	1.82	g/cm3
Taille de grain max	13-15	8-10	8-10	8-10		µm
Teneur en cendres	≤500	≤500	≤500	≤500	≤500	ppm
Teneur en CENDRES purifiées	50	50	50	50	50	ppm
Résistivité électrique spécifique	8-10	8-9	11-13	11-13	11-13	Ω μm
Résistance à la flexion	46	55	51	60	59	MPa
Résistance à la compression	85	95	115	135	121	MPa
Dureté du rivage	48	53	65	70	70	HSD
Expansion thermique (température ambiante jusqu'à 600 ºC)	4.75	4.8	5.8	5.85	5.85	10-6/ºC

 

Propriété	HT-Z	Unité
Densité apparente	1.90	g/cm3
Taille moyenne du grain	3	µm
Valeur de cendres	≤20	ppm
Résistivité électrique spécifique	14	Ω μm
Résistance à la flexion	85	MPa
Résistance à la compression	150	MPa
Dureté du rivage	80	HSD

Nos services :

Efficacité : votre demande électronique vous sera répondu par 24 heures  

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