certificat: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Or Transistor Sealed |
Installation: | Plug-in Triode |
Fréquence de travail: | Overclocking |
Niveau d′énergie: | Haute puissance |
Fonction: | Darlington Tube, Puissance Triode, commutation Triode |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT | |
RoHS : | N | |
Type de montage : | Trou traversant | |
Emballage/caisse : | TO-39-3 | |
Polarité du transistor : | PNP | |
Configuration : | Simple | |
Tension d'émetteur du collecteur VCEO max : | 60 V. | |
Collecteur - tension de base VCBO : | 60 V. | |
Emetteur - tension de base VEBO : | 5 V. | |
Tension de saturation collecteur-émetteur : | 1.6 V. | |
Courant maximum du collecteur c.c. : | 600 mA | |
PD - dissipation de puissance : | 800 mW | |
Gain de bande passante produit ft : | - | |
Température de fonctionnement minimale : | - 65 C. | |
Température de fonctionnement maximale : | + 200 C. | |
Emballage : | En vrac | |
Marque : | Microchip Technology | |
Type de produit : | BJTs - transistors bipolaires |
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