Liste de Produits
(Total 39 Produits)
Prix FOB: 175,00-200,00 $US / piece
Commande Min.: 5 piece
- Certification: CCC, CE, RoHS
- Diameter: 6inch
- Hickness: 350±25μm
- Poly Type: 4h
- Ttv: ≤20 μm
- Warp: ≤70μm
Prix FOB: 160,00-175,00 $US / mm
Commande Min.: 15 mm
- Certification: RoHS
- Poly Type: 4h
- Diameter: 150 ±0.25 mm
- Dopant: N-Type Nitrogen
- Resistivity: 0.015~0.028 Ohm.Cm
- Spécifications: 4 "6" 8"
Prix FOB: 170,00-185,00 $US / mm
Commande Min.: 10 mm
- Certification: RoHS
- Matériel: Semi-conducteur de puissance
- Modèle: Single Crystal Substrate Material
- Type: Semi-conducteur de type N
- Poly Type: 4h
- Diameter: 150 ±0.25 mm
Prix FOB: 170,00-185,00 $US / piece
Commande Min.: 10 piece
- Certification: RoHS
- Couleur: Vert
- Diameter: 6inch
- Hickness: 350±25μm
- Poly Type: 4h
- Ttv: ≤20 μm
Prix FOB: 175,00-200,00 $US / mm
Commande Min.: 10 mm
- Certification: RoHS
- Poly Type: 4h
- Diameter: 150 ±0.25 mm
- Thickness: ≥10mm
- Spécifications: 4 "6" 8"
- Marque Déposée: HC
Prix FOB: 175,00-200,00 $US / piece
Commande Min.: 5 piece
- Certification: CCC, CE, RoHS
- Diameter: 6inch
- Hickness: 350±25μm
- Poly Type: 4h
- Ttv: ≤20 μm
- Warp: ≤70μm
Commande Min.: 1 Pièce
- Certification: CE, ISO
- Lieu style: Verticale
- Gamme d′applications: Industriel
- Type: Creuset four de fusion
- Utilisation: Aluminium moulé sous pression
- Carburant: Électrique
Commande Min.: 1 Pièce
- Certification: CE, ISO
- Lieu style: Verticale
- Gamme d′applications: Industriel
- Type: Creuset four de fusion
- Utilisation: Aluminium moulé sous pression
- Carburant: Électrique
Commande Min.: 1 Pièce
- Certification: CE, ISO
- Lieu style: Verticale
- Gamme d′applications: Industriel
- Type: Creuset four de fusion
- Utilisation: Aluminium moulé sous pression
- Carburant: Électrique
Commande Min.: 1 Pièce
- Certification: CE, ISO
- Lieu style: Verticale
- Gamme d′applications: Industriel
- Type: Creuset four de fusion
- Utilisation: Aluminium moulé sous pression
- Carburant: Électrique
Prix FOB: 8,00-10,00 $US / piece
Commande Min.: 25 piece
- Certification: RoHS
- Couleur: Vert
- Diameter: 6inch
- Hickness: 350±25μm
- Poly Type: 4h
- Ttv: ≤20 μm
Prix FOB: 170,00-195,00 $US / kg
Commande Min.: 10 kg
- Certification: PORTÉE
- Fonction: Crystal Gowth
- Couleur: Vert
- Purity: 6n
- Type: N-Type 3c-Sic
- Customization: Support Customization
Prix FOB: 170,00-195,00 $US / kg
Commande Min.: 10 kg
- Certification: PORTÉE
- Fonction: Crystal Gowth
- Couleur: Vert
- Purity: 6n
- Type: N-Type 3c-Sic
- Customization: Support Customization
Prix FOB: 349,00-390,00 $US / piece
Commande Min.: 10 piece
- Application: Diode, Composants électroniques de puissance
- Certification: RoHS
- Technologie de fabrication: Pvt
- Matériel: 6n Sic Powder
- Modèle: 4h
- Paquet: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Prix FOB: 600,00-660,00 $US / piece
Commande Min.: 3 piece
- Certification: CCC, CE, RoHS
- Diameter: 150 ±0.25 mm
- Resistivity: 0.016~0.024ohm ·cm
- Dopant: N-Type Nitrogen
- Ttv: ≤5μm
- Warp: ≤20μm
Prix FOB: 589,00-685,00 $US / piece
Commande Min.: 5 piece
- Application: Diode, Composants électroniques de puissance
- Certification: CCC, RoHS
- Technologie de fabrication: Pvt
- Matériel: 6n Sic Powder
- Modèle: N-Type
- Paquet: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Prix FOB: 249,00-345,00 $US / piece
Commande Min.: 3 piece
- Spécifications: Purity>99.9999%
- Marque Déposée: HC
- Origine: China
Prix FOB: 589,00-685,00 $US / piece
Commande Min.: 5 piece
- Application: Diode, Composants électroniques de puissance
- Certification: CCC, RoHS
- Technologie de fabrication: Pvt
- Matériel: 6n Sic Powder
- Modèle: N-Type
- Paquet: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Prix FOB: 10,00-30,00 $US / piece
Commande Min.: 10 piece
- Formule: 4h
- Size: Ф 50.8 ± 1 mm
- Thickness: 350 ± 25 μm
- Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
- Spécifications: GaN-FS-C-U-C50
- Origine: China
Commande Min.: 100 Pièces
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d′énergie: Haute puissance
- Fonction: Photosensible, Tube de Darlington, Puissance Triode, commutation Triode
- Structure: PNP
- Characteristic: High Blocking Voltage, High Frequency Operation, L
Prix FOB: 110,00-350,00 $US / piece
Commande Min.: 25 piece
- Formule: 4h
- Spécifications: GaN-FS-C-U-C50
- Marque Déposée: HC
- Origine: China
Prix FOB: 10,00-30,00 $US / piece
Commande Min.: 10 piece
- Application: Diode, Composants électroniques de puissance
- Certification: CCC, CE, RoHS
- Size: Ф 100 ± 0.3 mm
- Thickness: 650 ± 50μm
- Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
- Ttv: ≤ 30μm
Prix FOB: 10,00-30,00 $US / piece
Commande Min.: 10 piece
- Size: Ф 50.8 ± 1 mm
- Thickness: 350 ± 25 μm
- Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
- Ttv: ≤ 15 μm
- Spécifications: GaN-FS-C-U-C50
- Origine: China
Prix FOB: 385,00-460,00 $US / piece
Commande Min.: 3 piece
- Epitaxial Layer Thickness: Less Than 0.5%
- Epitaxial Layer Carrier Concentration: Less Than 1.5%
- Bipolar Device Level: N-Doped (N-Type) or Al-Doped (P-Type) Epitaxial Wa
- Thick Film Epitaxial Wafer: 30~200um
- Epitaxial Wafer Type: Sbd-Level, Mosfet Level
- Spécifications: 6Inch