Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | BMS |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
NCE fournit des MOSFET de puissance Trench de type N 12 V~200 V et de type P 12 V~150 V, en adoptant une technologie de fabrication de processus avancée, de meilleures conditions de processus et une structure de dispositif finement optimisée pour optimiser en permanence la résistance à l'alimentation, les caractéristiques de commutation, la fiabilité, etc., et continuer à promouvoir l'itération de produit, et devenez la référence du secteur pour une large gamme de produits, des paramètres et des performances avancés, ainsi qu'une excellente fiabilité. Nos produits sont largement utilisés dans l'entraînement moteur et le fonctionnement sur batterie. Nos produits sont largement utilisés dans les domaines de l'entraînement moteur, du système de gestion de batterie, de l'interrupteur de charge, de la communication, de l'électronique grand public et d'autres domaines. En même temps, nous proposons une large gamme de paquets pour les clients, y compris DFN1*1, DFN2*2, DFN3.3*3.3, DFN5*6, SOT-23, SOT-523, SOT-89, SOT-223, SOP-8, TO-251, TO-252, TO-220, TO-263, NUMÉRO VERT, Et TO-247.
Le NCEP40T11AG utilise la technologie Super Trench optimisée de manière unique pour fournir les performances de commutation haute fréquence les plus efficaces. Les pertes de puissance de conduction et de commutation sont réduites grâce à une combinaison extrêmement faible de RDS(ON) et QG. Ce dispositif est idéal pour la commutation haute fréquence et la rectification synchrone.Informations de marquage et de commande des emballages | ||||||||||
Marque | Numéro de pièce | Package de périphériques | SPQ | Ma | ||||||
Puissance NCE | NCEP40T11AG | DFN5X6-8L | 5 000 pièces/bobine | 5 000 pièces |
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