Manufacturing Technology: | Dispositif Discret |
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Matériel: | Semi-Conducteur d′Élément |
Type: | N and P Channel |
Paquet: | SMD |
Traitement du Signal: | Analogique composite numérique et fonction |
Demande: | High Power and Current Handing Capability |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Les MOSFET complémentaires 12 V~100 V (complémentaires de type N et P ) de NCE sont optimisés en intégrant des MOSFET de puissance Trench de type P et de type N dans des configurations complémentaires côté haut et côté bas dans un seul boîtier. Ces MOSFET complémentaires améliorent non seulement l'efficacité des concepteurs, mais optimisent également l'architecture du système. Grâce à son format compact, peut fournir aux concepteurs des solutions plus fiables et économiques. Ces produits sont largement utilisés dans les systèmes de conversion c.c.-c.c., de contrôle de moteur et de gestion de batterie.
Des MOSFET complémentaires sont disponibles en DFN2*2, DFN3.3*3.3, DFN5*6, SOP-8, SOT-23-6L, Et TO-252-4L.
Informations de marquage et de commande des emballages | ||||||||
Marque | Numéro de pièce | Package de périphériques | SPQ | Ma | ||||
NON | NCE01NP03S | SOP-8 | 4 000 pièces/bobine | 4 000 pièces |
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