Manufacturing Technology: | Dispositif Discret |
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Matériel: | Semi-Conducteur d′Élément |
Type: | Semi-Conducteur de Type N |
Paquet: | DIP(Dual In-line Package) |
Traitement du Signal: | Analogique composite numérique et fonction |
Demande: | climatisation |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
NCE propose des circuits IGBT à canal N avec des niveaux de tension de claquage allant de 600 V à 650 V. Grâce aux technologies injection Enhance (IE) et Field Stop (FS), la famille IGBT NCE offre une chute de tension à l'état (VCE) et un bon compromis entre les pertes à l'état (on-state) et les pertes à l'état (off). L'excellente chute de tension à l'état de marche et le très court courant de queue aident les concepteurs à optimiser l'efficacité du système. En outre, les IGBT 600 V à 650 V de NCE offrent de bonnes performances en court-circuit, offrant une marge suffisante pour gérer les événements inattendus dans les variateurs de vitesse. Ils sont largement utilisés dans les alimentations sans coupure (UPS), les inverseurs solaires et tous les commutateurs durs.
La gamme de produits IGBT série 600-650V à canal N comprend TO-220, TO-263, TO-251, TO-252, TO-3P, Et TO-247.
Informations de marquage et de commande des emballages | ||||||||
Marque | Numéro de pièce | Package de périphériques | SPQ | Ma | ||||
Puissance NCE | NCE15TD60B | TO-220 | 50 pièces/tube | 1 000 pièces |
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