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NCE propose des MOSFET de puissance série SGT-II à canal N avec des tensions nominales de claquage allant de 30 V à 120 V. Les caractéristiques de résistance à l'activation ultra-faible ( RDS(on)) et de charge à la porte ultra-faible ( QG ) des produits, associées à des boîtiers légers et compacts avancés, augmentent encore la densité de puissance et l'efficacité de conversion d'énergie du système. En outre, pour les applications basse fréquence qui exigent des performances et une robustesse extrêmement exigeantes, les produits de la série SGT-II à canal N NCE optimisent davantage la capacité d'arrêt à courant élevé et la protection électrostatique, qui peuvent satisfaire une large gamme d'applications, y compris l'entraînement de moteur CC, la protection de batterie Li-ion et la rectification synchrone AC/DC. En outre, par rapport à la génération précédente de la série SGT-I, la série SGT-II offre une résistance à l'activation 20 % inférieure Ron ,sp et une résistance à l'activation 20 % inférieure FOM, ce qui offre un meilleur choix aux concepteurs pour améliorer davantage l'efficacité du système.
La gamme de boîtier MOSFET de puissance série SGT-II à canal N comprend TO-220, TO-252, TO-247, TO-263, TO-251, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8 et d'autres paquets, offrant aux concepteurs des options plus flexibles de personnalisation.
Remarque : LES MOSFET SGT sont également appelés MOSFET Super Trench.
| Informations de marquage et de commande des emballages | ||||||||||
| Marque | Numéro de pièce | Package de périphériques | SPQ | Ma | ||||||
| Puissance NCE | NCEP10N12K | TO-252-2L | 2 500 pièces/bobine | 2 500 pièces | ||||||
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