matériaux: | nitrure de gallium |
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epaisseur: | 3 μm ou 20 μm |
taille: | 2 pouces ou 4 pouces |
technologie de fabrication: | semi-conducteur optoélectronique |
matériau: | semi-conducteur composé |
type: | semi-conducteur de type n. |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
XRD-FWHM | 002 | 102 |
3 à 4 μm de GaN/Sapphire | 200-300 | 250-450 |
Le point | GaN-FS-C-U-C50 | Le GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
Dimensions | Ф 50,8 mm ± 1 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 µm | ||
Surface utilisable | > 90 % | ||
L'orientation | Plan C (0001) hors de l'angle de l'axe en direction de M 0,35°± 0,15° | ||
L'orientation à plat | (1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm | ||
L'orientation secondaire à plat | (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm | ||
L'épaisseur totale Variation | ≤ 15 µm | ||
BOW | ≤ 20 µm | ||
Type de conduction | De type N (Undoped) |
De type N (Ge) dopé |
Semi-Insulating (Fe-dopés) |
La résistivité(300K) | < 0,5 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | >106 Ω·cm |
Densité de dislocations | 1~9x105 cm-2 | 5x105 cm-2 ~3x106 cm-2 |
1~9x105 cm-2 |
1~3x106 cm-2 | 1~3x106 cm-2 | ||
Le polissage | La surface avant : Ra < 0,2 nm. Epi-prêt poli La surface arrière : amende la masse |
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Paquet | Emballé dans un environnement de salle blanche classe 100, dans des conteneurs de wafer unique, sous une atmosphère d'azote. |
Le point | Le GaN-T-C-U-C100 | Le GaN-T-C-N-C100 |
Dimensions | Ф 100 mm ± 0,1 mm | |
Épaisseur | 4 µm, 20 µm | |
L'orientation | Plan C(0001) ± 0,5° | |
Type de conduction | De type N (Undoped) |
De type N (Tr) dopé |
La résistivité 300K | < 0,5 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm |
La concentration de transporteur | < 5x1017 cm-3 | > 1x1018 cm-3 |
La mobilité | ~ 300 cm2/V·s | ~ 200 cm2/V·s |
Densité de dislocations | Moins de 5x108 cm-2 | |
Structure du substrat | Le GaN sur le saphir(Standard : SSP Option : DSP) | |
Surface utilisable | > 90 % | |
Paquet | Emballé dans un environnement de salle blanche classe 100, dans les cassettes de 25pcs ou galette unique de conteneurs, sous une atmosphère d'azote. |
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