• Wafer à arséniure de gallium non poli simple/double face
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Wafer à arséniure de gallium non poli simple/double face

Usage: Optique
Type: Lentille Plate
Transmittance: > 95%
Forme: Mono-Objectif
Matériel: Verre Optique
Lentilles de couleur: Clair

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Membre d'Or Depuis 2018

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Évaluation: 5.0/5
Société Commerciale

Info de Base.

Personnalisé
Personnalisé
taille
personnalisé
epaisseur
personnalisé
méthode de croissance
ky
Paquet de Transport
Box
Marque Déposée
FineWin
Origine
Jiaozuo City Henan Province
Capacité de Production
60000 PCS/Month

Description de Produit

Wafer à arséniure de gallium non poli simple/double face
Ce que nous pouvons fournir :


Gaufrettes GaAs : lingots monocristaux : 2-6pouces
orientation :  (100)(111)
Type : ntype dopé silicium, type P, dopé Zn, si non dopé


description du produit

1. Spécifications détaillées :

Paramètre Valeurs garanties / réelles UNITÉ DE MESURE
Méthode de croissance : VGF  
Type de conduite : S-I-N  
Dopant : Non tondu  
Diamètre : 50.7 ± 0.1 mm
Orientation : (100)± 0.50  
DE l'emplacement/longueur : EJ  [ 0-1-1]± 0.50/16±1  
SI emplacement/longueur : EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1  
Résistivité : Min. : 1.0 E8 Max. : 2.2 E8 Ω·cm
Mobilité : Min : 4500 Max. : 5482 cm2/v
EPD : Min : 700 Max. : 800 / cm2
Epaisseur : 350 ± 20 µm
Arrondi de bord : 0.25 MMR
Marquage laser : S/O  
TTV/TIR : Max. : 10 µm
ARC : Max. : 10 µm
Warp : Max. : 10 µm
  Nombre de valeurs : <50/wafer(pour particule > 0,3 μm)  
 Finition de surface - avant : Poli     
État de surface -arrière : Gravé  
Prêt pour EPI :

Oui

 
 
Paramètre Valeurs garanties / réelles UNITÉ DE MESURE
Méthode de croissance : VGF  
Type de conduite : S-I-N  
Dopant : Non tondu  
Diamètre : 76.2 ± 0.2 mm
Orientation : (100) 00 ± 0.50  
DE l'emplacement/longueur : EJ  [ 0-1-1]± 0.50/22±2  
SI emplacement/longueur : EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/11±2  
Résistivité : Min : 1E8 Max. : 1,03E8 Ω·cm
Mobilité : Min : 5613 Max. : 6000 cm2/v
EPD : Min : 700 Max. : 800 Max :
Epaisseur : 625±20 µm
Arrondi de bord : 0.375 MMR
Marquage laser : S/O  
TTV : S/O µm
 Finition de surface - avant : Poli     
État de surface -arrière : Gravé  
Prêt pour EPI :

Oui


 
 
Paramètre Valeurs garanties / réelles UNITÉ DE MESURE
Méthode de croissance : VGF  
Type de conduite : S-I-N  
Dopant : Non tondu  
Diamètre : 100.0 ± 0.2 mm
Orientation : (100)± 0.30  
DE l'emplacement/longueur : EJ  [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1  
SI emplacement/longueur : EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1  
Résistivité : Min. : 1.5 E8 Max. : 2.0 E8 Ω·cm
Mobilité : Min : 4832 Max. : 4979 cm2/v
EPD : Min : 600 Max. : 700 / cm2
Epaisseur : 625 ± 25 µm
Arrondi de bord : 0.375 MMR
TTV/TIR : Max. : 3 µm
ARC : Max. : 4 µm
Warp : Max. : 5 µm
  Nombre de valeurs : <100/wafer(pour particule > 0,3 μm)  
 Finition de surface - avant : Poli     
État de surface -arrière : Poli  
Prêt pour EPI :

Oui

 
 
Paramètre Exigences du client Valeurs garanties / réelles UNITÉ DE MESURE
Méthode de croissance : VGF VGF  
Type de conduite : S-C-P S-C-P  
Dopant : GaAs-Zn GaAs-Zn  
Diamètre : 50.8 ± 0.4 50.8 ± 0.4 mm
Orientation : (100)± 0.50 (100)± 0.50  
DE l'emplacement/longueur : EJ  [ 0-1-1]± 0.50/16±1 EJ  [ 0-1-1]± 0.50/16±1  
SI emplacement/longueur : EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1 EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1  
Ingot CC : Min. : 1 E19 Max. : 5 E19 Min. : 1.4 E19 Max. : 1.9 E19 /cm3
Résistivité : Min. : s/O. Max. : N/A Min. : s/O. Max. : N/A Ω·cm
Mobilité : Min. : s/O. Max. : N/A Min. : s/O. Max. : N/A cm2/v
EPD : Max. : 5000 Min : 600 Max. : 700 / cm2
Epaisseur : 350±25 350±25 µm
 Finition de surface - avant : Poli    Poli     
État de surface -arrière : Gravé Gravé  
Prêt pour EPI :

Oui

Oui

 

Photos du produit :


Single/Double Sided Polished Undoped Gallium Arsenide Wafer

Single/Double Sided Polished Undoped Gallium Arsenide WaferSingle/Double Sided Polished Undoped Gallium Arsenide WaferSingle/Double Sided Polished Undoped Gallium Arsenide WaferSingle/Double Sided Polished Undoped Gallium Arsenide Wafer

FAQ :

Q: Quelle est la façon de l'expédition et le coût?

R:(1) nous acceptons DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, etc

   (2) si vous avez votre propre compte express, c'est génial.si non, nous pourrions vous aider à les expédier.  

 Q: Comment payer?

A : T/T, Paypal, etc

Q: Quel est votre MOQ?

A:  (1) pour l'inventaire, le MOQ est de 5pcs.

   (2) pour les produits personnalisés, le MOQ est de 10pcs-25pcs.

Q: Qu'est-ce que le délai de livraison?

A:  (1) pour les produits standard

          Pour le stock : la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.

          Pour les produits personnalisés : la livraison est de 2 ou 3 semaines après la commande.

     (2) pour les produits de forme spéciale, la livraison est de 4 ou 6 semaines après la commande.

Q: Avez-vous des produits standard?

R: Nos produits standard en stock.

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?

R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et le revêtement optique pour vos composants optiques en fonction de vos besoins.
 

 

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