Plaquettes de semi-conducteurs poli pour LED de GaN

• matériaux: substrats de nitrure de gallium
• epaisseur: 350 μm
• taille: 2 pouces à 4 pouces
• technologie de fabrication: semi-conducteur optoélectronique
• matériau: semi-conducteur composé
• type: semi-conducteur de type n.
• application: télévision
• marque: fin
• Paquet de Transport: Box
• Spécifications: 2INCH
• Marque Déposée: FineWin
• Origine: Jiaozuo City Henan Province
• Capacité de Production: 1000 PCS/Month

Description de Produit

Substrat GaN en vrac

1. Ce qui est des substrats de GaN
Le nitrure de gallium est un genre de grand-gap semiconducteurs composés. Il est fait avec méthode HVPE original et la technologie de traitement wafer, qui a été initialement développé pour de nombreuses années.

2.L'application
Les diodes laser pour les Blu-ray Disc^™ et de la lumière des projecteurs
Future application : GaN PN-diode avec haute tension de claquage sur 3,000V et faible résistance de 1mΩ·cm²
Longue durée de vie, efficace et fiable des appareils électroniques et optoélectroniques
Led haute luminosité pour l'éclairage général et de haute puissance, transistors à haute fréquence pour les stations de base de téléphone cellulaire et de la défense d'applications.

3.Produit disponible

2"des substrats de GaN  
Petits morceaux (10*10,5 mm) pour votre utilisation de tests
Le GaN-template avec hautement dopé la couche de type n (n=<1E19/cm³)
Ntype (undoped), Ntype (GE), dopé et semi-isolant substrats dopés(Fe) sont disponibles
Non-polaire et semi-polaire des substrats de GaN


4. Fonctionnalités
 Haut cristallin, bonne uniformité et qualité de la surface supérieure

XRD-FWHM	002	102
FSGaN 350μm	25-45	20-55

5. La spécification

Le point	GaN-FS-C-U-C50	Le GaN-FS-C-N-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dimensions	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Épaisseur	350 ± 25 µm
Surface utilisable	> 90 %
L'orientation	Plan C (0001) hors de l'angle de l'axe en direction de M 0,35°± 0,15°
L'orientation à plat	(1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm
L'orientation secondaire à plat	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
TTV (L'épaisseur totale Variation)	≤ 15 µm
BOW	≤ 20 µm
Type de conduction	De type N (Undoped)	De type N (Ge) dopé	Semi-Insulating (Fe-dopés)
La résistivité(300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
Densité de dislocations	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Le polissage	La surface avant : Ra < 0,2 nm. Epi-prêt poli La surface arrière : amende la masse
Paquet	Emballé dans un environnement de salle blanche classe 100, dans des conteneurs de wafer unique, sous une atmosphère d'azote.

6. Des photos

_{Exposition à l'étranger}

FAQ :

Q : Quelle est la façon d'expédition et le coût ?

Un(1) : Nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS etc.

   (2) Si vous avez votre propre express compte, c'est super.Si non, nous pourrions vous aider à les expédier.  

 Q : Comment payer ?

A : T/T, Paypal, etc.

Q : Quel est votre MOQ ?

A :  (1) Pour l'inventaire, la MOQ est 5pcs.

   (2) pour des produits personnalisés, la MOQ est 10pcs-25PC.

Q : Quel est le délai de livraison ?

A :  (1) pour les produits standard

          Pour l'inventaire : la livraison est de 5 jours ouvrables après que vous placez la commande.

          Pour des produits personnalisés : la livraison est de 2 ou 3 semaines après que vous placez la commande.

     (2) pour les produits en forme spéciale, la livraison est de 4 ou 6 semaines de travail après que vous placez la commande.

Q : Avez-vous les produits standard ?

A : nos produits standard en stock.

Q : Puis-je personnaliser les produits basés sur mon besoin ?

R : Oui, nous pouvons personnaliser le matériel, spécifications et le revêtement optique pour vos composants optiques en fonction de vos besoins.