Type: | Piezoresistive Pressure Sensor |
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Component: | SemiConductor Type |
For: | Diffused Silicon Pressure Transmitter |
Output Signal Type: | Analog Type |
Production Process: | Integration |
Material: | Stainless Steel |
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Paramètres de performance : | |||||
Plage de mesure | Jauge (G) | 10 kPa, 20 kPa, 35 kPa, 100 kPa, 200 kPa, 350 kPa, 1000 kPa, 2000 kPa | |||
Absolu (A) | 100 KPaA, 200 KPaA, 350 KPaA, 700 KPaA, 1000 KPaA, 2000 KPaA | ||||
Type | Max | Unité | |||
Linéarité | ±0.15 | ±0.3 | %F.S | ||
Répétabilité | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
Hystérésis | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
Sortie de décalage zéro | 0±1 | 0±2 | VM | ||
Sortie pleine échelle | ≤20 kPa | 50±10 | 50±30 | VM | |
≥ 35 kPa | 100±10 | 100±30 | VM | ||
Temp. De décalage zéro Dérive | ≤20 kPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥ 35 kPa | ±0.5 | ±1 | %F.S | ||
Temp. Pleine échelle Dérive | ≤20 kPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥ 35 kPa | ±0.5 | ±1 | %F.S | ||
Temp. Compensée | ≤20 kPa | 0 à 50 | ºC | ||
≥ 35 kPa | 0 à 70 | ºC | |||
Température de fonctionnement | -20-80 | ºC | |||
Température de stockage | -40 à 125 | ºC | |||
Surcharge admissible | Prenez la valeur la plus petite entre 3 fois la pleine échelle Ou 4 MPa | ||||
Pression d'éclatement | 5X la pleine échelle | ||||
Stabilité à long terme | 0.2 % | S/an | |||
Matériau de la membrane | 316L | ||||
Résistance d'isolation | ≥200 MΩ 100 V C.C. | ||||
Vibrations | Aucun changement dans des conditions de 10 gRMS, 20 Hz à 2 000 Hz | ||||
Choc | 100 g, 11 ms. | ||||
Temps de réponse | ≤1 ms. | ||||
Poids | environ 12,5 g | ||||
Les paramètres sont testés dans les conditions suivantes : courant constant de 1,5 mA et température ambiante de 25 °C. |
Contour Construction | |
Connexion électrique et compensation |
Exemples de sélection |
Conseils de commande |
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