Type: | Capteur de pression piézorésistif |
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Composant: | Semiconducteur de type |
Pour: | capteur de pression en silicium monocristallin |
Type de sortie Signal: | Digital |
Procédé de production: | Bobinées normale |
Matériel: | Acier inoxydable |
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Capteur de pression différentielle au silicium monocristallin BP350
Paramètres de performance | |
Sortie | 60 à 140 mV |
Température de stockage | -40ºC~125ºC |
Température de travail | -40ºC~85ºC |
Alimentation | 5 V C.C. |
Hystérésis de température | ±0.1%FS (10 kPa) |
Hystérésis de pression | ±0.025%FS |
Stabilité à long terme | ±0.05% FS/an |
Non-linéarité | ±0.5%FS(10 kPa |
Influence de la pression statique | ±0.15% FS/10 MPa |
Matériau de la membrane | 316L ou Hastelloy |
Dérive de température nulle | ±0.05% FS/ºC |
Plage de pression | ||
Portée | Surpression | Pression statique |
-6 kPa~0~6 kPa | 16 MPa | 16 MPa |
-40 kPa~0~40 kPa | 16 MPa | 16 MPa |
-100 kPa~0~100 kPa | 16 MPa | 25 MPa |
-250 kPa~0~250 kPa | 16 MPa | 25 MPa |
-1 MPa~0~1 MPa | 16 MPa | 40 MPa |
-3MPa~0~3MPa | 16 MPa | 40 MPa |
Conseils de commande |
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