1A 160V transistor PNP UN1013 épitaxiale de silicium de type 2SA1013

• Encapsulation Structure: DIP
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: Overclocking
• Power Level: High Power
• Function: Photosensitive, Darlington Tube, Power Triode
• Structure: Diffusion
• N° de Modèle.: 2SA1013
• Material: Iron and Plastic
• dissipation de puissance-max (abs): 0,9 w
• configuration: simple
• catégorie: transistors
• gain de courant c.c. - min (hfe): 200
• polarité/type de canal: pnp
• courant max. du collecteur (ic): 1a
• numéro de produit: 2SA1013
• expédition par: dhl\ups\fedex\ems\hk postdhl\ups\fedex\ems\hk post
• package: cassette et boîte (tb)
• type de montage: trou traversant
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: iron and plastic
• Origine: Chn

Description de Produit

Produit Paramenters

 

Paquet	Tape & Case (TO)
Statut de partie	Obsolète
Type de transistor	PNP
Vce (max. ) saturation @ Ib, Ic	1, 5V @ 50mA, 500 mA
Coupure de courant - Collector (max. )	10µA
Gain en courant CC (hFE) (min) @ Ic, VCE	60 @ 200 mA, 5 V
Fréquence - Transition	15 MHz
La température de fonctionnement	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Type de montage	À travers le trou
Package / cas	D'-92-3-226-3, à Corps Long (formé Câbles)

Profil de la société


 




Emballage du produit



FAQ

1. Qui êtes-vous?
Nous sommes fabricant de haute qualité de la Chine de ses propres jetons inclus IC, Transistor, , de résistance de condensateurs,
De mémoire, MOSFET, IGBT, Traic/SCR, l'optoélectronique. Presque tous les composants de l'électronique dans notre production.

2. Ne vous avez également la vente de pièces d'origine?
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