Certification: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Ceramic Packaged Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Function: | Photosensitive, Darlington Tube, Power Triode |
marque: | original |
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Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets Transistors MOSFET - fet, - simple |
Paquet | Le tube |
Type de transistor FET | N-canal |
La technologie | Le MOSFET (Metal Oxide) |
- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C | 2A (TC) |
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de) | 10V |
Rds de (Max) @ Id, VGS | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (max. ) @ Id | 4V @ 250 µA |
Vgs (max. ) | ±30V |
La dissipation de puissance (maxi) | 23W (TC) |
La température de fonctionnement | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Type de montage | À travers le trou |
Emballage du dispositif de fournisseur | D'-220F |
Package / cas | Pour le pack complet-220-3 |
Vidanger de source de tension (Vdss) | 600 V |
Charge de grille (QG) (max. ) @ VGS | 12 nC @ 10 V |
Capacité d'entrée (CISS) (max. ) @ VDS | 235 pF @ 25 V |
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