Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
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Installation: | Plug-in Triode |
Function: | Photosensitive, Darlington Tube, Power Triode, Switching Triode |
sous-catégorie: | igbt |
emballage: | tube |
type de produit: | transistors igbt |
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Style de montage : | ÀTravers le trou |
Configuration : | Seul |
Tension de l'éMetteur VCEO Collector- max : | 600 V |
Tension de saturation Collector-Emitter : | 2,25 V |
ÉMetteur de la porte de la tension maximale : | 20 V |
Courant de collecteur en continu à25 C : | 100 A |
Pd - Dissipation de puissance : | 333 W |
TempéRature minimale de fonctionnement : | - 40 °C |
TempéRature maximale de fonctionnement : | + 175 C |
SéRie : | IGBT Trenchstop3 |
Emballage : | Le tube |
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