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Transistors haute qualité Fgh40n60SMD TO247 600V 40A 40n60 tube IGBT Fgh40n60

Forme: GT
Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
Méthode de refroidissement: Tube Naturellement Refroidi
Fonction: transistor igbt
Fréquence de travail: Haute fréquence
Structure: Alliage

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Membre Diamant Depuis 2016

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Évaluation: 5.0/5
Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
FGH40N60SMD
Encapsulation Structure
Céramique Transistor Emballé
Niveau d′énergie
Haute puissance
Matériel
Silicium
style d′installation
cms / cms
catégorie de produit
transistors igbt
température de fonctionnement
standard
tension collecteur-émetteur vceo max
600 V
fonction supplémentaire
faible perte de conduction
série
fgh40n60smp
emballage
tube
numéro de produit de base
fgh40n60
sous-catégorie
igbt
Spécifications
standard
Marque Déposée
/
Origine
Chine
Capacité de Production
500000

Description de Produit

 

High Quality Transistors Fgh40n60SMD To247 600V 40A 40n60 IGBT Tube Fgh40n60
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Paramètres de produit

Fonctionnalités
• température de jonction maximale : TJ = 175°C.
• température positive Co-efficace pour un fonctionnement en parallèle facile
• capacité de courant élevé
• tension de saturation faible : VCE(SAT) = 1.9 V (Typ) @ IC = 40 A.
• impédance d'entrée élevée

High Quality Transistors Fgh40n60SMD To247 600V 40A 40n60 IGBT Tube Fgh40n60
 
Paire complémentaire d'amplificateur de puissance basse fréquence avec 2SB649/A.
High Quality Transistors Fgh40n60SMD To247 600V 40A 40n60 IGBT Tube Fgh40n60Profil de l'entreprise
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Emballage du produit
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FAQ
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