Transistor de puissance de l′IGBT 25n120 25A 1200V pour-247 pour cuisinière à induction Sgw25N120

• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: Overclocking
• Power Level: Medium Power
• Function: Photosensitive, Darlington Tube, Power Triode, Switching Triode
• N° de Modèle.: SGW25N120
• Structure: Alloy
• Material: Germanium
• nom: sgw25n120
• description: transistors igbt rapide igbt npt tech 1
• série: sgw25n120
• tension collecteur-émetteur vceo max: 1 200 v.
• type de produit: transistors igbt
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: standard
• Marque Déposée: Infineon
• Origine: Chn

Description de Produit

Série : SGW25N120  
Conditionnement : tube  
Marque : Infineon
Courant de collecteur continu Ic Max : 46 A