Transistor IGBT Ikw30n60h3 30 a 600 V TO247 K30h603

Détails du Produit
Structure d′encapsulation: Transistor à puce
Installation: /
Fréquence de travail: Haute fréquence

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Année de Création
2008-09-17
Nombre d'Employés
18
  • Transistor IGBT Ikw30n60h3 30 a 600 V TO247 K30h603
  • Transistor IGBT Ikw30n60h3 30 a 600 V TO247 K30h603
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Info de Base

N° de Modèle.
K30H603
Niveau d′énergie
Haute puissance
Fonction
Puissance Triode
Structure
/
Matériel
plastique
courant max. du collecteur (ic)
60A
tension - panne de l′émetteur du collecteur (m
600 V
configuration
simple avec diode intégrée
application transistor
commande d′alimentation
type de montage
trou traversant
polarité/type de canal
canal n
température de fonctionnement-max
175c
package
tube
puissance - max
187 W
Paquet de Transport
emballage standard
Spécifications
to-247
Marque Déposée
/
Origine
Chn
Capacité de Production
10000

Description de Produit

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Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
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Paramètres de produit

Applications :
•uninterruptiblepowerapprovisionnements
•convertisseurs à souder
•converteurswhissefréquence élevée

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Paire complémentaire d'amplificateur de puissance à faible fréquence avec 2SB649/A.
Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 TransistorProfil de l'entreprise
Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
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Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
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Emballage du produit
Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
FAQ

Ikw30n60h3 IGBT 30A 600V To247 K30h603 Transistor
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