Nouveaux transistors IGBT 60n60 Fgh60n60 CI Fgh60n60ufd

• certificat: RoHS, CE, ISO, CCC
• Structure d′encapsulation: Transistor à puce
• Installation: Triode enfichable
• N° de Modèle.: 60N60
• Fonction: Puissance Triode, igbt
• Matériel: Silicium
• tension collecteur-émetteur-max: 600V
• état: /
• numéro de produit: fgh60n60ufd
• sous-catégorie: transistors
• description: igbt 600v 60a
• catégorie: transistors igbt
• type igbt: butée de champ
• Spécifications: type de montage - trou traversant
• Marque Déposée: jdp/original
• Origine: Chine

Description de Produit

Produit Paramenters
 

FGH60N60 SMD/SFD/UFD

Tension - Collecteur de ventilation de l'émetteur (MAX);600 V
Actuels - Collector (IC) (Max);120 A
- Courant pulsé Collector (ICM);180 A

Amplificateur de puissance à basse fréquence paire complémentaire avec 2SB649/A

Profil de la société




Emballage du produit

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