Nouveau Stgw80H65dfb GW80H65dfb Tube IGBT 650V 469W à 120A-247

• Certification: RoHS
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: Overclocking
• Power Level: High Power
• Function: Power Triode
• N° de Modèle.: STGW80H65DFB
• Structure: Alloy
• Material: Germanium
• type de produit: transistors
• numéro de produit: stgw80h65dfb
• sous-catégorie: transistors
• description détaillée: igbt trench field stop 650 v 120 a 469 w.
• catégorie: igbt
• Paquet de Transport: Woven
• Spécifications: /
• Marque Déposée: Original
• Origine: Original

Description de Produit

• Série de commutation haute vitesse
• Réduction au minimum courant de queue
• Faible tension de saturation : VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 80 A
• Paramètre serré de la distribution

Les applications
• Les onduleurs photovoltaïques • convertisseurs haute fréquence