Sia433edj-T1-Ge3 Transistor à effet de champ P-Channel 20-V (D-S) Mosfet

• certificat: RoHS
• Forme: ST
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• N° de Modèle.: SIA433EDJ-T1-GE3
• Méthode de refroidissement: Eau Tube Refroidi
• Fonction: Transistor Haute Pression Retour, Micro-ondes Transistor, Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• Structure: La diffusion
• Structure d′encapsulation: Transistor à puce
• Matériel: Silicium
• numéro de produit: sia433edj-t1-ge3
• description: canal p 20 v 12a (tc) 3.5w (ta), 19w (tc)
• catégorie: mosfet
• produit: sia433edj
• technologie: mosfet (oxyde métallique)
• type de montage: montage en surface
• Paquet de Transport: /
• Spécifications: /
• Marque Déposée: original
• Origine: Chn

Description de Produit

Type de transistor FET ;  canal P
La technologie ; le MOSFET (Metal Oxide)
- Courant continu (ID) de vidange @ 25°C  12A (TC)
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)   1,8V, 4,5V