2N70/670/4N N N N7070/1070/20raboteuse MOSFET à canal N AVEC D′-220F PACKAGE

• Encapsulation Structure: métal scellé
• Application: Produits électroniques
• certificat: RoHS, ISO
• Intensité lumineuse: pas de lumière
• Couleur: pas de lumière
• Structure: Planar
• N° de Modèle.: 6N70
• Matériel: Silicium
• tension: 700 v.
• actuel: 2a-20a
• package: ito-220
• logo: jf ou jh
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: High Power
• Marque Déposée: JF, JH
• Origine: Chine
• Code SH: 85411000
• Capacité de Production: 10000000000piece/Year

Description de Produit

Description du produit

Le MOSFET de puissance à canal N
Composant électronique

Numéro de référence : 2N70/670/4N N N N7070/2070/10

Paramètre majeur :  
 

Type	Le canal	VDSS(V) (Max.)	ID(A) (Max.)	PD(W) (Max.)	VGS(V) (Max.)	Ve(V)	Rds(on)(Ω) @10V (typ)	Rds(on)(Ω) @10V (max.)	Rds(on)(Ω) @4,5V (Typ)	Une protection ESD pour G-S(O/N)	Code de contour
2N70	N	700	2.0		±30	2~4	6.5				D'-220AB L'OTI-220AB:F D'-263:D D'-252:M D'-262:E D'-251:N D'-247:P SOP-8:S
4N70	N	700	4.0		±30	2~4	2.8
6N70	N	700	6.0		±30	2~4	1.6
20N70	N	700	20.0		±30	2~4	0.37	0,5
10N70	N	800	10.0		±30	2~4	1.1

Marque : JF / JH  

Paquet : L'OTI-220AB/-220AB/ // pour-263-252 À-262/-251/-247
Fabricant : Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Fonctionnalités :

· Capacité de commutation rapide

· Sans plomb en conformité avec la directive RoHS de l'UE.

· Amélioration de la capacité de dv dt robustesse élevée

Application :  
Utilisé dans l'alimentation, l'éclairage, auto, Home appliance domaine

Profil de la société