Encapsulation Structure: | metal Sealed |
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Application: | Electronic Products |
Certification: | RoHS, ISO |
Luminous Intensity: | NO LIGHT |
Color: | NO LIGHT |
Structure: | Planar |
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MOSFET de puissance canal N.
Composant électronique
Référence : 4N80F/7N80F/8N80F/10N80F
Paramètre majeur :
Type | Canal | VDSS(V) | ID(A) (MAX.) |
PD (W) (MAX.) |
VGS(V) (MAX.) |
VTH(V) | @10V (typ) RDS(on)(Ω) |
À 10 V (max.) RDS(on)(Ω) |
@4,5V(Typ) RDS(on)(Ω) |
Protection ESD pour G-S (O/N) | Code de contour |
4N80 | N | 800 | 4.0 | ±30 | 2 à 4 | 2.6 | TO-220AB : aucun ITO-220AB : F TO-263:D. TO-252:M TO-262:E TO-251:N TO-247:P SOP-8:S |
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7N80 | N | 800 | 7.0 | ±30 | 2 à 4 | 1.6 |
Marque: JF / JH
CONDITIONNEMENT : ITO-220AB/ TO-220AB/ TO-263/ TO-252/ TO-262/ TO-251/ TO-247
Fabricant: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd
Caractéristiques :
Application :
Utilisé dans l'alimentation, l'éclairage, l'auto, le champ d'appareils ménagers
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