Diode Hyperfast MURS860 8 a 600 V avec récupération souple

• Encapsulation Structure: metal Sealed
• Application: Electronic Products
• Certification: RoHS, ISO
• Luminous Intensity: NO LIGHT
• Color: NO LIGHT
• Structure: GPP Chip
• N° de Modèle.: MURS860
• Material: Silicon
• tension: 600 v.
• Paquet de Transport: Tube
• Spécifications: High Power Package
• Marque Déposée: JF, JH
• Origine: China
• Code SH: 85411000
• Capacité de Production: 10000000000piece/Year

Description de Produit

Description du produit

Diode hyperrapide avec récupération souple

                                                              Tension inverse - 600 V.

                                                              Courant de marche avant - 8,0 a

Référence :  MURS860

Paramètre majeur :

Type	VRM	SI	IR (25 ºC)	IR (100 ºC)	IR (125 ºC)	VF	TRR	Contour
	V	A	ΜA	UA	UA	V	NS
MURS860	600	8.0	5.0		50	2.3	25	TO-220AC
MURS8120	1200	8.0	5.0		50	3.30	50

Boîtier : TO-220AC
Fabricant: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd

Caractéristiques :

·L'emballage en plastique a la classification d'inflammabilité du laboratoire Underwriters 94V-0

·Construction à redresseur unique

·Capacité de surtension élevée

·Pour une utilisation dans les applications de basse tension, les inverseurs haute fréquence, le passage en roue libre et la protection de polarité

·Soudure haute température garantie : 2 0 C/10 secondes, 0.25"(6,35 mm) de la mallette

·Commutation rapide pour une efficacité élevée

·Faible chute de tension directe

·Composant conforme à la directive RoHS 2002 95 ce et DEEE 2002 96 CE

Application :  
Utilisé dans l'alimentation, l'éclairage, l'auto, le champ d'appareils ménagers

Profil de l'entreprise