Très fiable Structure mesa 20kv/50 mA redresseurs haute tension

• l*h*b: 80*10*10
• tj: -40oc~+130oc
• utilisé: nettoyage électrostatique
• fonctionnalités: plus de tailles disponibles
• technologie de fabrication: périphérique discret
• matériau: elément semi-conducteur
• N° de Modèle.: 2CLG20KV/50mA
• type: semi-conducteur de type p.
• traitement du signal: composite analogique numérique et fonction
• numéro de lot: 2010+
• package: trou traversant
• application: rectification
• modèle: 2clg20kv/50ma
• marque: soleil de plomb
• Paquet de Transport: 50PCS in a Box
• Marque Déposée: soleil de plomb
• Origine: Anshan China
• Code SH: 85415000
• Capacité de Production: 5000PCS/Month

Description de Produit

2Glc20KV/50mA haute tension  bloc redresseur adopte une    structure haute fiabilité et la diffusion de l'artisanat mesa,  résine époxyde moulé en une  structure compacte.  Caractéristiques du produit 1.   Caractéristique d'avalanche 2.  Plus de formats disponibles   3.   Moulé sous vide, non corrosif boîtier en résine époxy   4.  Tj : -40ºC-+130ºC L'application 1.    Redresseur de tension élevée utilisés dans  le nettoyage électrostatique 2.    Les équipements de test haute tension 3.   Usage général   redresseur de tension élevée  Valeurs limites(  cote maximale absolue)

Le point	Symbole	Unité	Cote	Conditions générales
Tension inverse de crête répétitive	VRRM	KV	20
La moyenne  actuelle de marche avant	Si(AV)	MA	50mA	Tamb=60 oC 50HZ sine-demi- onde Rectification de  la valeur moyenne
L'avant  Currrent contre les surtensions	IFSM	Un	5A	Tamb=25 oC 50HZ sine-demi- onde,One Shot
Température de jonction maximum	Tjmax	ºC	130
La température de stockage	Tstg	ºC	-40~+130

 Caractéristiques électriques(Tamb=25 oC,sauf indication contraire )

Le point	Symbole	Unité	Cote	Condition de test
Chute de tension de marche avant	VFM	V	35max	Si(AV)=50mA
Température normale de fonctionnement  courant de marche arrière	La GIR1	Μa	2.0Max	VRM=20KV
Courant de marche arrière à haute température	La GIR2	Μa	50max	Tamb=100ºC VRM=20KV
Tension de rupture de marche arrière	Vz	KV	21min	IR=100uA
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT	ΜS	0.10max	Si = 10 mA  IR=20mA

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