Manufacturing Technology: | Dispositif Discret |
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Matériel: | Semi-Conducteur d′Élément |
Type: | PCB |
Paquet: | PCB |
Traitement du Signal: | Analogique composite numérique et fonction |
Demande: | Electostatic Cleaning |
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Type | HPT220KV8A75nS Temps de récupération ultra-rapide Égalisation RC |
HPT110KV5A100nS Temps de récupération rapide Égalisation RC |
HPT220KV5A100nS Temps de récupération rapide Égalisation RC |
Tension inverse de crête répétitive [kV du Vrrrm] | 220 | 110 | 220 |
Tension inverse de crête non répétitive [kV du système Vrrrm] | 270 | 140 | 270 |
Courant moyen à l'état [Ifavm1 A 45ºC] | 8 | 5 | 5 |
Courant moyen à l'état [Ifavm1 A 85ºC] | 5 | 3 | 3 |
Tension de crête avant répétitive [Ifrm A] | 160 | 100 | 100 |
Courant de surtension non répétitif maximum [Ifsm1 A 25ºC] | 100 | 60 | 60 |
Courant de surtension non répétitif maximum [Ifsm2 A 85ºC] | 80 | 40 | 40 |
Température de jonction [TJ ºC] | -55 à 175 | -40 à 150 | -40 à 150 |
Température de jonction maximale [Tjm ºC] | 175 | 150 | 150 |
Température de stockage [Tstg ºC] | -55 à 175 | -40 à 150 | -40 à 150 |
Dimensions [WDL] | 100*45*445 | 100*45*240 | 100*45*445 |
Fuite reverse 1 [IR1 TJ=25ºC UA] | 25 | 20 | 20 |
Fuite reverte2 [IR2 Tjm=25ºC UA] | 500 | 100 | 100 |
Tension directe [Vf1 TJ=25ºC V] | 400 | 200 | 410 |
Tension directe [Vf2 TJ=150ºC V] | 355 | 170 | 365 |
Résistance thermique1[refroidissement à air Rthjc K/W] | 0.25 | 0.92 | 0.45 |
Résistance thermique2[huile isolante Rthjc K/W] | 0.04 | 0.14 | 0.07 |
Poids KG | 1.15 | 0.45 | 0.92 |
Numéro de série de la carte à circuit imprimé | S353+S352+S349 | S355+S354+S349 | S353+S354+S356 |
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