Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | PCB |
Package: | PCB |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | Electostatic Cleaning |
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Type | HPT80KV15A25nS Temps de récupération extrêmement rapide Égalisation RC |
HPT64KV8A75nS Temps de récupération ultra-rapide Égalisation RC |
HPT64KV8A100nS Temps de récupération rapide Égalisation RC |
Tension inverse de crête répétitive [kV du Vrrrm] | 80 | 64 | 64 |
Tension inverse de crête non répétitive [kV du système Vrrrm] | 110 | 80 | 80 |
Courant moyen à l'état [Ifavm1 A 45ºC] | 15 | 8 | 8 |
Courant moyen à l'état [Ifavm1 A 85ºC] | 10 | 5 | 5 |
Tension de crête avant répétitive [Ifrm A] | 300 | 160 | 160 |
Courant de surtension non répétitif maximum [Ifsm1 A 25ºC] | 80 | 100 | 100 |
Courant de surtension non répétitif maximum [Ifsm2 A 85ºC] | 60 | 80 | 80 |
Température de jonction [TJ ºC] | -55 à 175 | -55 à 175 | -40 à 150 |
Température de jonction maximale [Tjm ºC] | 175 | 175 | 150 |
Température de stockage [Tstg ºC] | -55 à 175 | -55 à 175 | -40 à 150 |
Dimensions [WDL] | 50*45*240 L1=220 M8x2 | 50*45*240 L1=220 M8x2 | 50*45*240 L1=220 M8x2 |
Fuite reverse 1 [IR1 TJ=25ºC UA] | 15 | 25 | 20 |
Fuite reverte2 [IR2 Tjm=25ºC UA] | 60 | 500 | 100 |
Tension directe [Vf1 TJ=25ºC V] | 115 | 120 | 90 |
Tension directe [Vf2 TJ=150ºC V] | 165 | 96 | 78 |
Résistance thermique1[refroidissement à air Rthjc K/W] | 0.6 | 1.2 | 1.5 |
Résistance thermique2[huile isolante Rthjc K/W] | 0.045 | 0.11 | 0.25 |
Poids KG | 0.36 | 0.30 | 0.30 |
Numéro de série de la carte à circuit imprimé | S348+S347+S349 | S348+S347+S349 | S348+S347+S349 |
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