Fournisseurs spécialisés Diode pour accélérer des particules 3hc10 Assemblée de silicium de redresseur de tension élevée

• Application: Diode, rectification
• Numéro de lot: 2010+
• Technologie de fabrication: Discrete Device
• Matériel: Element Semiconductor
• Modèle: 3hc10
• Paquet: trou traversant
• N° de Modèle.: 3HC10
• Traitement du signal: Analog Digital Composite and Function
• Type: P-Type Semiconductor
• fonction: plus de tailles à choisir
• utilisation: nettoyage électrostatique
• tension avant max: 9,0 v.
• courant de pointe avant max: 150 a.
• marque: soleil de plomb
• Paquet de Transport: 50PCS in a Box
• Marque Déposée: soleil de plomb
• Origine: Anshan China
• Code SH: 85415000
• Capacité de Production: 5000PCS/Month

Description de Produit

Fonctionnalité :  Caractéristique d'avalanche Plusieurs tailles pour choisir  Moulé sous vide, non corrosif boîtier en résine époxy   Tj:-40ºC--+120ºC Application :   Redresseur de tension élevée utilisés dans  le nettoyage électrostatique   Générateur haute tension   Les équipements de test haute tension  Usage général   redresseur haute tension, tension  assemblée multiplicateur HC-3HC  Module redresseur

TYPE	Tension de crête repetive de marche arrière	Redresseur de courant moyenne de marche avant	Max  tension de marche avant	Courant de surtension avant max.	Température normale de fonctionnement  courant de fuite	Moment de l'  recovert de marche arrière
	VRRM(KV)	Ir(A)	VFM(V)	IFSM(A)	IRRM(μA)	Les DRT(nS)
HC5	5	1.0	4.5	50	0,5	--
HC8	8	1.0	7.2	50	0,5	--
Sc10	10	1.0	9.0	50	0,5	--
HC12	12	0,8	10.5	50	0,5	--
Sc15	15	0,7	14.0	50	0,5	--
Sc20	20	0,6	21.0	50	0,5	--
3HC5	5	2.5	4.8	150	0,5	--
3HC10	10	2.0	9.0	150	0,5	--
3HC12	12	1.75	10.5	150	0,5	--
3HC15	15	1.5	13.2	150	0,5	--

HCF   Redresseur de récupération rapide  

TYPE	Tension de crête repetive de marche arrière	Redresseur de courant moyenne de marche avant	Max  tension de marche avant	Courant de surtension avant max.	Température normale de fonctionnement  courant de fuite	Moment de l'  recovert de marche arrière
	VRRM(KV)	Ir(A)	VFM(V)	IFSM(A)	IRRM(μA)	Les DRT(nS)
HCF5	5	1.0	8.0	50	1.0	150
HCF8	8	1.0	12	50	1.0	150
HCF10	10	0,8	15	50	1.0	150
HCF12	12	0,7	18	50	1.0	150