2"/3"/4" Vgf Indopant phosphure d′indium (InP) substrats gaufrettes
| Prix FOB de Référence: | 100,00 $US / Pièce |
|---|---|
| Commande Min.: | 1 Pièce |
| Commande Min. | Prix FOB de Référence |
|---|---|
| 1 Pièce | 100,00 $US/ Pièce |
| Port: | Qingdao, China |
|---|---|
| Conditions de Paiement: | T/T, Western Union, Money Gram |
Description de Produit
Information d'Entreprise
Description de Produit
| Produit | Diamètre (Pouces) | Type | Concentration de porteurs(cm-3) | La mobilité (Cm2 V-1s-1) | La résistivité (W.cm) | E.P.D. (Cm-2) | ||||
| Undopant InP | 2/3 | N | (0.8-2)'1016 | (3,5- 4) "103 | < 5'104 | |||||
| S-InP | 2 | N | (0.8-3)'1018 | (2.0-2.4) "103 | < 3'104 | |||||
| (4-8)'1018 | (1.0-1.6) "103 | <6'103 <1'103 | ||||||||
| 3/4 | (0.8-3)'1018 | (2.0-2.4) "103 | < 5'104 | |||||||
| (4-8)'1018 | (1.0-1.6) "103 | <6'103 <1'103 | ||||||||
| Zn-InP | 2/3 | P | (0,6 à 2) "1018 | 70-90 | < 5'104 | |||||
| (3-6)'1018 | 50-70 | <5'103 | ||||||||
| Fe-InP | 2/3/4 | SI | >2000 | >1'107 | < 5'104 | |||||
| >2000 | >1'107 | < 1'104 | ||||||||
| D'autres | ||||||||||
| L'orientation | (100)/(111)±0,5° | Planéité(μm) | ||||||||
| TTV | Bow | Warp | ||||||||
| ≤12 | ≤12 | ≤15 | ||||||||
| 2 " | 3 " | 4 " | ||||||||
| Épaisseur (mm) | 350±25/2 | 600±25/3" | 1000±25/4" | |||||||
| Plat principal LONGUEUR (mm) (mm) | 16±2 | 22±2 | 32,5±2,5 | |||||||
| Longueur méplat secondaire (mm) (mm) | 8±1 | 11±1 | 32,5±2,5 | |||||||
| Simple ou double polonais, ouvrir et utiliser, la demande du client est accepté. | ||||||||||
Nous sommes un des plus grands fabricants de l'InP wafer en Chine.
Contactez-nous pour plus de détails.
Adresse:
Cross in Jingjiu Street, Xinxiang, Henan, China
Type d'Entreprise:
Fabricant/Usine
Gamme de Produits:
Luminaire & Éclairage, Métallurgie, Minéral & Énergie
Certification du Système de Gestion:
ISO 9001
Produits Principaux:
GaAs, GaAs Wafer, GaAs Ingot
Présentation de l'Entreprise:
La société Shenzhen Crystal est fondée en 1970, fabricant de matériel GaAs, avec 100 employés hautement qualifiés et dévoués, couvre une superficie de 450 hectares. Nous conçissons, dévelopons, fabriquons et distribuons des substrats semi-conducteurs composés haute performance.
Avec le développement de matériaux semi-conducteurs dans la deux génération et la trois génération de matériaux semi-conducteurs, la société Shanghai s′est orientée vers les produits haut de gamme, l′utilisation de nouvelles technologies, de nouveaux procédés, engagés dans la fabrication et le traitement de cachets GaAs (GaAs), de cachets au carbure de silicium (SIC) et d′autres matériaux semi-conducteurs, Largement utilisé dans le domaine de la microélectronique (communications mobiles, radar, communications par satellite, guidage de précision), du champ optoélectronique (laser, Diode électroluminescente), et champs d′énergie solaire, etc., principalement exportés vers l′Asie du Sud-est et l′Europe et le marché des États-Unis.
Avec le développement de matériaux semi-conducteurs dans la deux génération et la trois génération de matériaux semi-conducteurs, la société Shanghai s′est orientée vers les produits haut de gamme, l′utilisation de nouvelles technologies, de nouveaux procédés, engagés dans la fabrication et le traitement de cachets GaAs (GaAs), de cachets au carbure de silicium (SIC) et d′autres matériaux semi-conducteurs, Largement utilisé dans le domaine de la microélectronique (communications mobiles, radar, communications par satellite, guidage de précision), du champ optoélectronique (laser, Diode électroluminescente), et champs d′énergie solaire, etc., principalement exportés vers l′Asie du Sud-est et l′Europe et le marché des États-Unis.
