60V Transistor Mosfet à canal N en mode d′enrichissement SOT-23 MMBF170

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Structure d′encapsulation: sot-23
Application: fonctions de gestion de l′alimentation, commande du moteur

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Fournisseur Audité Fournisseur Audité

Audité par une agence d'inspection indépendante

Adresse
Floor 3, Block, 5 Number. 2 Waltai Road, Wanjiang District, Dongguan, Guangdong, China
Conditions Commerciales Internationales(Incoterms)
FOB, EXW
Conditions de Paiement
LC, T/T
  • 60V Transistor Mosfet à canal N en mode d′enrichissement SOT-23 MMBF170
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Info de Base

N° de Modèle.
MMBF170
certificat
RoHS, CE, ISO
Intensité lumineuse
Standard
Couleur
noir
Structure
Planar
Matériel
Silicium
équipement 1
faible résistance à l′activation
équipement 2
tension seuil de porte basse
équipement
faible capacité d′entrée
équipement 4
vitesse de commutation rapide
équipement
faible fuite d′entrée/sortie
équipement
totalement sans plomb et entièrement conforme à la directive rohs
équipement
sans halogène ni antimoine
applications1
commande du moteur
applications2
fonctions de gestion de l′alimentation
Paquet de Transport
emballage en plastique
Marque Déposée
joyeux
Origine
Guangdong, China
Capacité de Production
100 000 pièces/jour

Description de Produit

Description du produit

Description et applications
Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état on (RDS(on)) tout en conservant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
• commande de moteur
• fonctions de gestion de l'alimentation

Fonctionnalités
Faible résistance à l'activation
• tension seuil de porte basse
• faible capacité d'entrée
• vitesse de commutation rapide
• faible fuite d'entrée/sortie
• entièrement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS
• sans halogène et sans antimoine.  

Données mécaniques
• cas: SOT23 (Standard)
• matériau du boîtier : plastique moulé. Classification d'inflammabilité UL 94V-0
• sensibilité à l'humidité : niveau 1 selon J-STD-020
• bornes : fini mat étamé recuit sur cadre de plomb en alliage 42 (placage sans plomb). Soudable selon MIL-STD-202, méthode 208
• connexions des bornes : voir le schéma
• poids : 0.008 grammes (approximatif)

Photos détaillées

60V N-Channel Enhancement mode Mosfet Transistor SOT-23 MMBF17060V N-Channel Enhancement mode Mosfet Transistor SOT-23 MMBF17060V N-Channel Enhancement mode Mosfet Transistor SOT-23 MMBF17060V N-Channel Enhancement mode Mosfet Transistor SOT-23 MMBF170

FAQ

1. Quel service avez-vous ?

Nous sommes fournisseur de diode, ponts redresseurs et diode de redresseur automobile. Et mosfet, nous pourrions fournir un prix compétitif et une livraison rapide et de bonne qualité avec un service rapide, nous avons notre propre équipe R&D , et l'ingénieur pour s'assurer d'offrir le meilleur service aux clients .  
 
2. Puis-je avoir des échantillons pour les tests ?

Nous offrons des échantillons gratuits pour nos clients et ils ont seulement besoin de payer le fret pour les échantillons.

3. Qu'en est-il de la livraison ?

Habituellement, le délai est d'environ 1-4  semaines après la réception du paiement. Pour les pièces normales , nous avons la quantité en stock.  

4. Qu'en est-il des conditions de paiement ?

Cette question peut être abordée en fonction de la situation réelle de la commande.  
 
5. Qu'en est-il des conditions d'expédition ?

FOB shenzhen par mer; nous travaillons également avec DHL, FEDEX, TNT et etc pour une grande quantité, c'est aux clients de choisir le transitaire, notre nous pouvons offrir le service pour aider les clients   

6. Avez-vous besoin d'une quantité minimale de commande?

En fonction des différents produits, pour une première commande d'essai à tester, nous pouvons offrir la quantité en fonction de la demande du client,  pour une commande répétée, MOQ est basé sur la quantité minimale d'emballage.  

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